Y9T83 华为硅基直接生长量子点激光器
硅光集成与激光器有多种结合方式，陆陆续续写过好几十篇硅基混合集成III V族材料的激光器结构与性能。
硅光芯片，可以采用氧原子做异质键合层，Intel等公司的类型，也可以采用硅晶圆直接外延生长。
外延直接生长，由于硅的晶格与InP不适配，以前需要做斜切晶圆，避开位错，后来在001面可直接生长，001面的硅是CMOS集成电路以及硅光集成晶圆的通用晶向，2022合集写过的，就不画图了哈，这又分为两类，一类是平面生长，一类是V型槽生长，平面生长需要较厚的缓冲层，V型槽生长可大幅度降低缓冲层厚。
基于001面的两类结构，V型槽生长可以采用传统量子阱技术，而表面生长受限于晶格缺陷，只好选择量子点技术。
华为这次，选择001面外延直接生长型的表面生长，量子点技术。脊型宽度2.5μm，III V族材料厚度5.2μm，芯片长度1mm，激光器类型是FP型，量子点材料选择InAs，波长O波段
给出了25℃与85℃的PI曲线，以及3000小时的可靠性数据，这是非常非常不容易，这些年量子点这种工艺的可靠性，硅基三五族的可靠性，都是非常艰难走到如今的。
2021/2022合集里多次提到量子点，其中一个好处就是温度不敏感，高温时激光器的性能劣化的不严重。Y9T83是华为的硅基量子点激光器，Y9T64是华为的量子阱激光器，对比一下，量子点在高温时斜率下降很少
华为这个是硅基三五族激光器，再对比一下与Intel的硅基三五族激光器曲线，当然这不真正意义上的对比，他们二者的温度不一样，总的来看，他们处于基本接近的状态。
在非斜切的001硅基表面生长，能接近现在主流传统工艺激光器的PI曲线，可太不容易以。
在2022合集下，有过一个和现在华为选择的技术路线基本一致的激光器设计，五年前25℃，800mA电流，输出功率为40mW，而2023年，120mA电流就可以输出40mW。
85℃，2018年那条虚线，基本算贴地运行了，3000mA输出2mW功率。
3月25号，硅光集成议题
