Y9T93 博通基于硅光集成技术的CPO进展
博通2022年发布了第一代CPO，硅光报告2023版，收录了他家的硅光图片，外置激光器等相关内容。Y9T86 <硅光报告2023版>终于写完了
2023 OFC发布第二代51.2T CPO，CPO容量倍增，依然是单波100Gbps，一个引擎64个通道，采用外置激光器，6.4TCPO
非接触式透镜扩束耦合，可以降低端面接触应力，降低摩擦力，降低空气反射，提高耦合效率，硅光报告中也写了一些扩束耦合的案例。
光模块实现了低功耗，7pJ/bit
功耗主要源于铜传输电信号，高频趋肤效应导致了巨大的损耗，随着频率的提高，电连接损耗增大，且在考虑信号完整性的前提下，传输距离则越来越短。
传统热插拔光模块，电信号的连接距离很长，节点很多
高频损耗急剧增加
光模块的目的是光信号与电信号的互相转换，所以博通把这个接口叫做OE，CPO是把OE模块与交换芯片封装在一起。
那么CPO的尺寸就要降低，实现高密度封装，这是硅光集成技术可满足，而传统光学方案无法实现的一个原因。
那么，CPO的共封装，第一降低了交换芯片和OE模块的距离，降低了整个交换机系统功耗。
其次，CPO不得不选择硅光集成的话，高密度封装，OE模块内部的电信号互联距离也缩短了，比现在的800G、1.6T的EML封装的内部铜布线距离要短，降低电信号损耗，降低模块自身功耗。
由于CPO的封装方式，电信号劣化程度较低，可以取消DSP，DSP本身就是一个大功耗芯片，这一部分的功耗就省去了。
CPO有两种光源选择，一种是集成激光器，如Intel，另一种是外置ELS光源，如华为、博通等厂。采用外部激光器，环境温度密度降低，对于激光器而言，PCE效率提升，博通外置光源的具体参数之前在公众号写过，不赘述，同时也归纳在硅光报告中。提高PCE，等于降低功耗。
通过这一系列操作，CPO相比较热插拔模块，1.6T模块对比，降低50%
对比一下，去年博通的CPO，在25.6T交换芯片上组装了一半CPO，12.8Tbps，每一个CPO引擎模块是3.2T。
2023年，博通第一次发布51.2T交换芯片的满载CPO，每个CPO 6.4T交换容量。
硅光芯片与电芯片DRV、TIA，采用3D硅通孔封装，SCIP，与2022合集提到的博通之前SCIP是一个概念，不赘述。
