Y9T121 Ranovus 800G 硅光PIC
之前的两三年时间，Ranovus很热衷于发布关于3.2T CPO的各种新闻和消息
今年OFC的workshop，Ranovus很罕见的退回，重点介绍他家的800G 2xDR4方案，略做一下记录。
800G的硅光集成，有两类，一类是内置激光器，另一类是外置激光器，800G 2xDR4，8纤x 100G/纤/波长，如果要倍增，则会选择4波长或8波长，这样就能有8纤*8波长*100G=6.4Tbps的总容量。
基于这种方案，单位能耗5pj/bit，
内置激光器，需要考虑热密度以及可靠性问题，外置激光器需要考虑耦合损耗的问题，并需要保偏光纤做激光器与硅光芯片的耦合通道。
内置激光器方案，对于热插拔光模块封装很有利，现在的QDD、OSFP、OSFP-XD等400G、800G和1.6T光模块，都需要内置激光器。
外置激光器方案，在CPO封装很有利，一方面降低CPO功耗，提高激光器效率，降低硅光温漂现象，另一方面CPO内部有数十通道调制器，选择远端外置激光器，可共用，并降低可靠性风险。
今年研讨会陈述，Ranovus还特意把他家内置激光器专利号给标出来，这个专利的技术细节我在去年写过，放在2022的合集里。
今年按Ranovus的照片，我把8激光器与硅光芯片的相对位置做个标注。
激光器flip chip在硅基板上，再通过硅基板二次倒装flip chip在硅光集成芯片上，下图是8个激光器位于V型槽两侧，PCB板前端，采用这种方案可以让激光器独立老化，剔除失效产品，降低量产成本。
5月7号，有激光器原理，其中包括用关于硅光集成的CW大功率光源。5月14号，是硅光集成的专题线上解析，包括各个厂家硅光方案，上午是流片工艺及芯片原理，下午的硅光模块的封装与产业链应用。具体可详询菲魅18140517646
