Y9T125 HHI基于InP的量子点与量子阱性能对比
量子点激光器在通信中的应用，比如HP、Ranovus等公司，说非常适合硅光集成的应用。基于量子点的技术基本上伴随了硅光集成技术的发展周期，之前
Y2T186，Y4T11，都写过Gartner曲线，咱们光模块的萌芽期是1995年，泡沫期2000年，泡沫破裂并走向良性发展周期是2003年后。
硅光集成是2004年起步，2013年膨胀期，2016年进入良性发展期，而量子点激光器的产业周期基本上与此时间轴相同。
对用于硅光集成的光源，量子点激光器有几个理论上的好处
抗反射能力更强，无需隔离器，线宽更窄，适合光频梳（多波长激光器）应用，温度系数更低，有利于提高高温下的PCE效率。
这是量子点的“理论”优点，
比如基于量子阱技术的劣势如上图，抗反射能力弱，会引发较大的RIN，但是，在增加无源波导、斜面对接、局部光栅...等技术优化后，也可以大幅度提高量子阱激光器的抗反射能力。今年OFC的旭创、Lumentum、住友等公司，这些CW DFB抗反射设计的激光器都是基于量子阱技术来制作的。
同理，还有线宽。HHI今年做了一个量子点与量子阱的多波长激光器的对比，理论上量子点的线宽更窄，昨天写的。但实际上做成产品后，基于量子阱可实现出来的性能比量子点的线宽更窄，阈值电流更低，效率更高。
一部分的量子点，是基于GaAs来做的InAs量子点技术，通过调整铟与砷的比例，可以略微调整波长，基本上位于O波段。
在InP晶圆上做量子点，可以拓展到C波段，理论上也具有更大的模式增益。
HHI在C波段做了量子点和量子阱SOA，并同步比对了性能。基于量子点激光器，在大输入功率时，确实有更低的噪声指数。这是优点。
但是，量子阱技术的SOA，增益范围更宽，增益更大。饱和功率更大。
从这个角度来看，
基于量子阱技术的激光器或SOA，虽然从理论上并不具有特别大的优势，但是在产业层面，从制造的产品而言，还是有优势的。
量子阱多波长激光器，线宽更窄，效率更高。
传统的量子阱DFB激光器，抗反射能力比较差，引起低频共振，导致眼图振荡，近些年，量子阱DFB通过技术优化，在逐步增加抗反射能力，慢慢开始取消隔离器。
基于量子阱技术的激光器和SOA，可以用于O波段与C波段，而量子点技术的研究目前以O波段为主，C波段较少
利于量子阱技术的SOA近些年在不断的讨论其C、L等波段应用，Y9T123 华为超宽带SOA，在这个波段，量子阱技术具有更佳性能。
从另一个侧面，看一下量子点技术的优劣势。
