Y9T144 浙大小型薄膜铌酸锂调制器
更新时间：2023-05-24 08:05:45 阅读量：707
铌酸锂的电光效率比InP、GaAs、SiPh这些材料要高很多，虽然从体材料到薄膜材料，已经减小了调制器的尺寸，相比较硅光集成的调制器，薄膜铌酸锂的尺寸还是很大。
之前写过的华为和中山大学合作的67GHz，120GBd的调制器。
也写过清华大学通过折叠MZ结构，降低芯片尺寸
如果想继续降低，从MZ到微环是硅光集成常用方案，更低功耗，更小尺寸。微环本身是“共振腔”，通过调整微环折射率，改变其谐振波长与入射激光器波长的失谐，产生信号调制。
硅的晶体结构是对称的金刚石结构，制作弯曲，很容易，不会引起极化，但铌酸锂就很难了。比如清华大学那个折叠铌酸锂，就需要做调制器极性翻转。
用微环谐振腔制作调制器，适合硅光，不适合铌酸锂，浙大的思路是采用FP谐振腔替代微环谐振腔，一样的调制思路。只是波导无需弯曲，可以迁就铌酸锂各向异性的晶体结构。
略拆解一下，光栅是具有反射作用的，两侧光栅形成反射，等效一个FP谐振腔。
外加电场，改变铌酸锂薄膜的折射率，改变FP腔的谐振波长，产生与入射波长的“失谐”，就是波长偏移，产生调制。
浙大还有一个异型耦合结构，那是降低光栅端面反射原路返回对信号RIN的影响，那是一个模式分离结构，反射光通过模式转换，换到耦合臂输出，与入射光不重叠，降低调制信号的幅度噪声。
这个结构的调制长度仅有50μm，相比较厘米级别的MZ结构，要小很多。
下周二聊下数据中心的光模块
