Y9T174 NPN型PCSEL
一般情况下，咱们的激光器，VCSEL、PCSEL都是PN型结构，用PN半导体二极管输运电流，用于发光的能量泵浦来源。
今年滨松有一个1550nm的NPN型的PCSEL，选1550nm波长是比9xxnm波长对眼睛的伤害更小。400-1400nm的波长刚好会通过眼球聚焦到眼底，形成灼伤。这写了很多，不难理解。
NPN型的PCSEL，是用来提高电光效率的，可实际上输运电流依然采用的PN正偏压的电流，并没有采用咱们传统理解的双极性晶体管的放大作用。今天略聊几句这个NPN的目的。
比如一个800μm长宽的PCSEL芯片，大多数会看到两个电极，一个环状的，环内是来做光孔的，金属层需要避让。底部就是平面电极。一般的PCSEL的光孔有几百个微米，比传统的VCSEL的光孔径要大很多，VCSEL用于激光雷达，还需要组成阵列/多结来实现等效的大功率。
切开看内部，二维光栅，通过谐振产生干涉，实现干涉放大。
对于材料体系而言，Y9T172 单模和多模对应什么波长？
波长的设计与材料的带隙相关，大多数场景下，650-1060nm采用GaAs系列，1260-1650nm采用InP系列。大多数啊，咱不做绝对化，芯片的设计看似千变万化，实则不离其宗。
如果用传统的PN二极管做激光器
P型InP的形成，一般是通过掺入Zn，金属离子的两个特点，困扰了我们的激光器性能，一个是金属扩散，另一个是金属吸收，扩散导致设计失控，吸收导致光的损耗，
我们写过无数遍，为什InP调制器从PN变成NIPN的结构，来降低吸收。也写过华为的InP基CW激光器采用非对称结构设计，P型半导体减薄，N型增厚，让光场尽量处于N型半导体中，避免P型中的金属吸收损耗。比如（2023OFC PPT汇编中写的）旭创的大功率CW DFB，在N型InP中插入InGaAs光场下拉层，把光拉倒N型半导体，降低P型损耗，提高电光效率，降低功率密度，提高饱和功率，支持大功率激光器设计,等等等等。
为什么采用各种各样的设计来阻挡Zn离子的扩散。Y9T8 高速激光器芯片中的金属扩散
同样，设计1550nm更安全的激光器波长，PCSEL也面临P型InP中Zn离子扩散导致的性能受限以及损耗增大的双重考验。
首先，改变光子晶体的位置
把光子晶体移到N型那一侧去。远离扩散源
其次，减薄P型半导体，用NPIN的结构来降低P型损耗。这个思路与高速相干模块中的InP调制器的NIPN结构是异曲同工之妙，都是为了降低P型损耗。这个I是本征层的量子阱层，有时候写一下，有时候不写。把这个I忽略掉后，就是PN转为NPN的结构，多用N型降低损耗，选择PN用来导入电流。
因为外延叠层，上下都是N型，所以P型半导体的接触层，需要中间挖槽后镀金属。所以P型半导体是凹槽内的金属。
