Y9T233 光迅高速激光器封装基板
两周前光迅公开的一个技术专利，可以提升带宽。
略聊几句这个话题，看专利是个挺有意思的事儿，专利本身是用公开换取保护，也就是把技术细节对外阐述，换取（采用此技术的）产品的市场销售的权利，保护商业利益。
这种矛盾，会导致看专利和看论文截然不同的一个现象，看论文，条理很清晰，看专利会很绕。
绕，让很多人感觉看不懂，虽然我公开了，但你没看懂，~~~~
这个大概率是用在DML的高速激光器设计里，用DFB做DML的话，会有CPR的载流子光子共振，导致的带宽受限。可毕竟DML直接调制比EML要便宜很多，这是昨天聊的芯片内容这一期激光器的议题做了一些调整，说明一下哈。
在十几年前，二十年前，美信还没有被ADI收购前，他们家做激光器的驱动芯片，写过很多的激光器电路驱动的设计分析，美信应用笔记。
在Vcc和激光器的P电极之间，串联一个电感，可以实现“峰化”
峰化，这个词，我们在之前写过很多案例，比如<OFC2023>旭创800G硅光集成的相干模块，利用一段键合金丝产生的寄生电感产生峰化电路，提升带宽，《2020合集》，写过硅光调制器，利用峰化电路提升带宽。
所谓的“峰”是谐振峰，利用谐振来提升带宽。
LC电感电容可以产生谐振电路，谐振必然有峰，就有谷，激光器是相干光，产生相关是利用谐振腔的谐振实现的“特定”频点的光放大。
激光器的干涉条纹，条纹的亮/暗交替，就是谐振的峰和谷
DML，由于载流子和光子产生了“共振”，也就是谐振，导致了带宽受限。
电感和电容，产生的共振，如果用的好，这个峰就能优化电路，如果用的不好，那个谷就会劣化我们的带宽。
比如之前写过一个高速器件封装，导致寄生电感电容产生谐振，带宽严重受限。
光迅这个设计，在严格控制整体的寄生参数前提下，附加的电感电容共振就产生了补偿作用，提升传统DML（DFB）带宽。
这个思路，和谁很像呢，finisar的两段式激光器，利用PPR光子光子共振，提升DML带宽。光是高频电磁波，我们的电信号是低频电磁波而已，对电磁波而言，都是一样的，用的也都是麦克斯韦方程。
用电感电容共振，就是当年美信的技术笔记中经常提到的峰化设计，只是当初的电感和电容是在PCB板上贴装，属于电路工程师的事儿，现在把电感电容拿到激光器的封装基板上，就属于光芯片封装工程师的事儿了。
昨天聊外腔激光器的“长腔”，可以用集成波导，并且螺旋布线，实现小型化。
一根金属线，会有一个寄生电感，把这根金属线，盘绕起来，就是是小型化的集成电感了。盘成什么形状不重要，盘在哪个位置也不是最重要的事儿，能设计成多大的电感量，产生什么样的谐振，才是最重要的。
半导体激光器，看等效电路模型，有一个等效的P型半导体和N型半导体的结电容，焊盘的寄生电容。还有一个串联电阻，当然如果要更精细的等效数学模型的话，这个串联电阻还有一个很微弱的寄生电感。
激光器的寄生的电阻（及电感）、电容，如果不满足谐振提升带宽的作用的话，可以利用外部的电感、电容、电阻，来做辅助谐振设计。
上面的图1，已经有了一个偏生集成的薄膜电阻，和一个片状电容，光迅在Vcc到激光器的P电极，设计了一个串联的螺旋状的集成电感，在V+和GND之间，做了上下对准的大片，产生一个寄生电容。
为了方便，我把V+和GND两个电极，做了颜色区分，橙黄色是接激光器的正极，黄色是接GND，N电极，一般是共晶焊在基板焊盘上。
V+实际上是通过线路换层，来实现的等效互联。
为啥设计的结构，不是一个整电极，而是GND或者Vcc都是分成两小条，这是除了谐振频率之外，还需要考虑阻抗，阻抗与L/C有关，谐振频率与LC有关，需要二者兼顾。
