Y9T254 用硅基板封装EML，与封装硅光芯片的不同
现在的800G单模光模块用EML，传统EML一般是封装在氮化铝封装基板上，这写了很多，不赘述。
现在有用硅基板来做EML封装，这里头有个参数可有意思了。以muRata为例，写一下区别。
用硅基板/中介板来封装硅光集成芯片，是博通啊、Intel等厂的常见工艺，相比较而言，比其他材料更有优势。
硅光芯片封装在陶瓷基板上，PCB板上，有个CTE热膨胀系数不一致导致的应力问题。这以前写过的。
硅的CTE是2.6-2.7 ppm/℃之间，而陶瓷、玻璃和PCB通常的参数比硅要大很多。
所以Acacia从2017年开始就在讨论降低陶瓷基板的CTE，来迁就硅（光学集成），降低热应力
所以，用硅基板来封装基于硅的光学芯片和基于硅（或锗硅合金）的集成电路（TIA、DRV）是有天然的匹配优势的。
但是，EML的封装则与硅不同，EML是典型的InP体系的芯片，所以封装在氮化铝陶瓷上，氮化铝具有高导热，刚性，热膨胀系数与InP接近，高绝缘（提高射频特性）的优点。
缺点就是很难集成电阻、电容、电感等无源元件
备注一下啊，其实在陶瓷材料上做简易优化，比如用双层或三层陶瓷就可以实现无源阻容感元件的等效集成，Y9T233 光迅高速激光器封装基板
传统结构，在封装工艺上，相对复杂，提高了制造成本，用硅基板，比如硅上制作MIM电容，薄膜电阻，螺旋电感等，利用成熟的半导体工艺是可以实现的。
对比一下用陶瓷基板和硅基板的EML封装流程，差异在于第二步，用硅基板可以降低器件模块厂的封装时间，降低难度，降低成本。
需要做的处理是，硅基板需要反向提高CTE，来迁就InP的热膨胀系数，按muRata在光博会上给出的数据，要提高到4.2，具体是通过什么方法来提高的，我很好奇。另一个是如何降低半导体寄生的那个带宽受限的压力。
以前的硅基板封装25G DFB激光器，是在硅基板上垫了一片陶瓷，先把好奇留在这里吧。
2020到2022的合集，以前都整理了一下，2023原打算缓缓，不太想弄，写的这些像杂文一样的，絮絮叨叨的聊天。从六月份开始，一拖就是三月了，又有人打听啥时候归总啊，还是继续吧，这周末我照常在直播里把这些杂文归归类梳理一下，有没有参考价值，有没有技术含量，我也不知道，大家伙自行斟酌吧。有需要的话就联系同事18140517646
