Y9T258 海思激光器进展-上
海思做光学芯片有十几年的时间，今年光博会做了一个报告，是他家激光器芯片的进展。
提到的芯片进展EML、VCSEL（后边有一点PCSEL）、DML-DFB、CW-DFB，这四类产品的情况。
今天估计整不完，先放一半。
海思重点阐述用于单波100Gbps PAM4，也就是50GBd的芯片情况，及未来单波200Gbps PAM4，也就是100GBd的技术发展。目的是用于数据中心400G、800G以太网光模块。
下表里，还是提到了VCSEL、DML（DFB）、EML这三大类。
没有提相干（基于SiP硅光的Coherent），没有提普通的IM-DD的硅光技术（下图SiP标注部分），也没有提用于SiP-Coh的TL部分，但提到了用于SiP的CW DFB的光源，尤其是大功率光源，这是为常规SiP和将来Coh下沉采用低成本的普通CW光源做一些铺垫。
EML芯片，还是是按照常规设计来进行的，就是采用多量子阱，基于集总电极，DFB与EA集成的思路。
且认为这种经典结构是具有商业生命力的设计。
相对于经典结构而言，基于TW行波调制方式的EML，则虽然具有大带宽，但是产业化的成本比较高。这一块的结构，我写过几篇，2023年OFC PPT合集里也有说明，可以达到90-100GHz。
基于传统结构的EML，在1990s主要是理论的探索，后期主要是工艺能力的优化和提升，现在主要是后期封装尽量不要把带宽降下来，比如海思采用台阶封装，降低WireBonding的键合金丝的寄生电感导致的带宽受限，也研究FC（就是倒装结构）对于封装带宽的优化。
这一部分内容，2022/2023合集里写过非常多。有些厂家的测试结果可以参考参考。
海思认为高速EML有几个方面，一个是性能，包括速率和传输距离，也就是距离带宽积，2022合集下有海思发表的文献提到的EML的啁啾因子，这个参数对于传输距离有很重要的影响。
另外就是，取消DRV，用DSP来直驱，这就需要降低调制摆幅，并且兼顾消光比。这个在华为50G EML的量子阱结构里提到过。
高速EML，从理论阶段到后续的数学建模，这些工作慢慢的就提升日程，咱们写过华为/海思挺多的数学模型里参数值，SOA数学公式、CW加速老化的数学公式....，整个的模型库当然也包括EML、DML等芯片。
目前单波100G的EML（56GBd），带宽约40GHz，单波200G EML（112GBd），带宽约75GHz
海思的VCSEL有50Gbps（25GBd）和100Gbps（50GBd）的带宽数据，
50G的VCSEL全温度范围带宽大于18GHz
100G的VCSEL在特定温度，电流9.5mA时带宽为28GHz，这个数字非常高。
略补偿一句，50GBd PAM4用于100Gbps，VCSEL特意标注出工作电流，这是因为带宽与根号电流呈现局部线性关系，也就是增大电流（且不进入饱和区），带宽随电流平方的增加而增加。
在今年的2023合集上册，有博通、住友、Lumentum、HP等几家的参数，2022合集有Finisar等厂的一些参数，这都是100G VCSEL的厂家们。
国内的VCSEL，我也写过海思、博升、长瑞等厂的部分技术特点。难得能找到海思对外发布的带宽数据，挺不容易的。
明天上午把今年上半年的内容，分分类，方便查找。
