Y9T268 华为用于高速PON的超优灵敏度APD
提高信号
提高响应度，
通过光栅设计，反射，提高响应度
通过金属反射层，提高响应度
增厚吸收材料，提高响应度，但会牺牲带宽
采用横向波导结构，提高响应度，提高带宽，但会增加封装耦合成本
采用雪崩效应，获得放大增益
采用SOA串联，获得放大增益
采用谐振增强，获得放大增益
降低噪声（降低暗电流）
采用低k因子做雪崩倍增材料，2023上有低k的InAlAs，低k的硅等结构
避免表面电流（二台阶、三台阶），2022合集有避免雪崩层引入的表面电流，2023合集有避免吸收层引起表面暗电流在华为WO2022133655里，关于高速PON的探测器优化灵敏度，应该是采用了如下方式。
华为今年光博会对50G PON的描述，有这么几句话
32dB光功率预算
采用锥形放大器，发射端功率有5dB的提升
采用太空望远镜气相沉积科技，超晶格接收，业内最高灵敏度，有3dB优化。
采用棱镜阵列，实现三模六波合一。
今天找点探测器提高灵敏度的资料
太空望远镜采用化学气相沉积技术，可以获得超薄并原子级光滑的镜面，化学气相沉积就是咱们激光器、探测器里常说的外延生长技术，用MOCVD或者MBE通过气体化学反应获得纯净化合物，并实现原子薄膜沉积技术。
MOCVD，金属有机化学气相沉积，这个沉积技术在咱们行业属于常用或者必备技术之一。
超晶格，大概率是采用了含有锑Sb的材料体系，利用超晶格方式来沉积。咱们天天写的材料，有个常数叫晶格常数，各种拓扑结构，如果是两个或两个以上的拓扑嵌套分布规则，就是“超”晶格。这在咱们行业也不陌生。
对于探测器而言，要优化灵敏度，本质上就是提升信噪比，几个维度
传统的垂直结构，降低生产成本，采用APD雪崩放大，实现信号增强，通过局部掺杂，实现P型半导体，降低结电容，提高带宽，采用台阶方式降低表面电流，降低噪声，（2022合集下，写过雪崩层做台阶，2023合集上写过吸收层台阶并掩埋，这些都是降低表面电流，降低噪声）
这种方式，提高带宽，用于高速PON，降低噪声，优化灵敏度，支持PON的大功率预算场景。
三台阶，噪声更低，灵敏度更好，二台阶成本更低。
咱们行业的APD，雪崩层的k因子越小，则由雪崩导致的噪声则越小，有利于灵敏度的优化。
采用三五族化合物的InP探测器，早期常用InP做倍增材料，实现倍增与吸收层分离的设计，后来用InAlAs来替代InP做倍增材料，在2023合集上，对与InAlAs写的比较详细。噪声更低。
如果在InAlAs中掺入Sb，则可以获得更小的噪声，具有更低的k因子。
光模块里的APD设计中，si和InAlAsSb的k因子都很小，所以在硅光集成方案中，选择硅做雪崩材料，由于InP和si的晶格常数差异很大，不会直接把硅来替代InAlAs做传统InP基的APD探测器芯片的。
所以，能选的就是InGaAsSb，或者InAlAsSb，重要的是掺入大原子Sb锑，降低噪声。
华为给出的APD响应曲线，单看这个，没啥概念
采用InAlAs做雪崩倍增材料，和InAlAsSb的曲线，华为是分布在两种不同的坐标系下的，我按照同类坐标系，重新规制，下图可以明显看出含有Sb的材料，暗电流更低，
把他们绘制在同一个坐标系中，18V的反偏电压，含有Sb锑原子的雪崩材料，暗电流几乎降低了两个数量级，灵敏度的提升由此而来。
在同样的带宽下，大增益区间，InAlAsSb具有更好的性能。（这也暗含了另一个意思，如果雪崩增益没有设置很大的时候，看上图，反偏电压小于15V时，其实无锑材料的性能会更好一些）。
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