Y9T296 基于行波放大的TIA电路
今年IMEC和根特对TIA提升带宽，说的是用TWA的方式来提高带宽，采用Gesi BiCMOS工艺来实现。
BiCMOS工艺，说的是一部分用来做Bipolar双极性晶体管，一部分用做成CMOS工艺，Bipolar是电流驱动的，带宽大，驱动能力强，用在咱们的模拟电路里非常多，TIA、DRV啊等等。CMOS是用电场驱动的，带宽虽然不够大，但是功耗很低，多用于数字的部分，降低功耗。
TIA的跨阻放大器，如果一个NPN的双极性Bipolar的电路，如下
Y5T241 晶体管之-BJT、FET、CMOS、HBT、HEMT
用硅材料，制作NPN的bipolar是可以的，其中基极通过掺杂或选择生长，制作成SiGe合金，也是可以的，这样就形成“异质”结，不同材料的PN结。咱们光模块里的激光器就是典型的异质结。<2022合集下> 激光器的“同质”与“异质”
这就是IMEC提到的GeSi Bi的意思，用锗硅实现更大的带隙，用于更大带宽和更高性能。
咱们光模块里用的TIA，除了锗硅异质结的HBT外，还有一种更好的电芯片，是GaAs制作的。
当然，CMOS是一个NMOS和一个PMOS组成，NMOS有一个NPN的区域，PMOS有一个PNP的区域。
Bipolar也有典型的NPN管，和PNP的管子。
本质上，NPN的布局都是在控制两侧的N是导通/截止的状态，bipolar是用电流控制的，MOSFET是用电场控制的。
反过来PNP是用电流或电场控制两侧的P型半导体导通还是截止
GeSi CMOS也是利用异质结来做的控制。
bi和cmos的功能核心，都是PN相接触的部分，自然存在一个寄生的电容，这个电容限制了带宽的提升。频率反比于RC常数，降低电容才能提升带宽。
IMEC提到的这个结构，本质上是降低了寄生电容，提高带宽。级联放大的话，增益是相乘的关系，这样并不会降低TIA的跨阻增益。
咱们光模块用的GaAs激光器，InP激光器，也都是异质结，在提高带宽的设计思路里，也天天在琢磨如何降低结电容，降低RC常数，提高带宽。
GaAs，是半导体，可以做集成电路，GaAs同样具有光学增益，可以做激光器，LD的L是laser激光器的意思，D是二极管的意思，典型的PN结。
光也好，电也好，材料上和性能上也是异曲同工之妙
