Y9T299 用光学MOSFET做MPD
在激光器、调制器、相移器、混频器、光开关等各种光学器件里，经常会搭配一个MPD，monitor的PD，用于监控光功率的探测器。
传统光学封装，用分立的探测器，
<2020合集>Y6T264 名词解释：MPD
<2023合集上>Y9T198 VCSEL如何做背光检测
<2022合集上>Y8T163 AOI的前光与背光MPD差异
<2020合集>Y6T281 带分光MPD的EML激光器封装
....
集成光学里，也经常会用到一个集成的MPD，硅光集成常用的是锗硅做MPD，后来Intel用纯硅来做MPD
去年，有用MOSFET做MPD，灵敏度达到-92dBm，可以实现超低功率的检测。
一方面MPD不需要高速率大带宽，另一方面期待超高的灵敏度，MOSFET在未饱和前，具有很大的增益，利用这个增益在无需考虑带宽的前提下获得超高灵敏度。
去年的东京工大做的就是MOSFET的探测器，利用FET放大效果实现微弱光功率的检测
因为光学探测采用InAaAs,与硅波导无接触，是通过倏逝波耦合实现的，也就是非接触式无损功率监控
电芯片的MOS一般为主FET的中间，也就是栅极位于源漏之间，
Y9T296 基于行波放大的TIA电路提到的MOSFET
但是金属对光有吸收，光学MOSFET，把MOS栅极移到主波导之外，降低光学损耗
InGaAs在通信波段的吸收效率好，灵敏度好，但是p型半导体的吸收损耗大，在去年基础上，把p型InGaAs改为n-InP，插入损耗大幅度降低
采用n-InP，降低插入损耗，灵敏度也变的差了一些，从-92dBm劣化到-44dBm，当然这个值比无放大的锗探测器还是要好很多。
Y9T86 <硅光报告2023版>终于写完了，这两天有打听硅光报告的，后续会更新至2024版，可详询我同事18140517646
