Y9T310 薄膜铌酸锂与InP集成

更新时间：2023-11-06 09:11:36 阅读量：835

继续铌酸锂，薄膜铌酸锂TFLN在石英衬底，硅衬底或者是铌酸锂衬底，都有厂家在研究，各有优缺点，ECOC PDP的另一个铌酸锂薄膜工艺是NTT的，与InP集成，铌酸锂适合做调制器，但是很难集成光源、MPD和探测器，之前写过哈佛的铌酸锂与激光器采用Flip chip工艺，写过AOI的分立组装结构，今天画画图，把这个铌酸锂和InP的键合工艺写一下。

下图的调制器区域和InP的键合区域，铌酸锂波导的宽度不一样，调制器的脊型波导较窄，方便电极拉近，提高调制的电光效率，InP下方的铌酸锂波导较宽，方便对准，增大耦合效率。

InP的材料体系，用的是微转印μTP的工艺，与Flip Chip的区别在于，微转印去掉了InP衬底

微转印支持100μm厚的激光器衬底层剥离，功能区域厚度保留几个μm，是因为铌酸锂的厚度只有0.6μm，铌酸锂在硅上，本身很薄，其次有应力，铌酸锂的热膨胀系数很大，本身就比较脆，在0.6μm厚度的薄片上附着~100μm的InP是有难度的。

即使是常规意义的InP的功能区，有几个微米，对于铌酸锂来说压力也比较大，NTT这个呢，倒是把之前的硅基InP薄膜工艺用起来了，把InP层降低到340nm，这样的话，俩薄层结合相对有利。缺点是很薄的InP层，串联电阻大，增益材料的体积小，基于横向PN结的DBR激光器输出光功率很低，需要外加SOA或其他放大器。

前几天整理铌酸锂的部分，这几年写过接近50篇左右，分散在不同的年度。11月11号，咱们把铌酸锂的一些材料特性器件特性，做个简要的梳理。