Y9T312 华为下移电极增强铌酸锂调制效率
更新时间：2023-11-08 08:11:52 阅读量：857
今年的11月3号，华为公开的专利信息，把铌酸锂调制器的电极下移，可增强~30%的调制效率
Y9T309 浙大0.7V.cm的TFLN铌酸锂调制器，选择的介电常数比较大并且折射率更低的材料做包层，可提高调制效率。
讨论了比氧化硅介电常数3.9更大一些的材料，如氮化硅的7，氧化铝的10.3等等，华为这个包层如果按照仿真采用的钛酸钙的话，介电常数更大。
对比一下，钛酸钙具有更低的折射率，更大的节点常数。这是对于提高电光效率而言的参数。
钛酸钙还有俩好处，是与可靠性相关，虽然他家专利没有提，按照之前的业内瓶颈，铌酸锂的热膨胀系数很大，比石英SiO2，硅Si，氧化铝Al2O3等材料的膨胀系数更大，非常容易导致内应力产生可靠性风险。
钛酸钙是钙钛矿结构，铌酸锂的钙钛矿结构的变形钙铁矿结构，二者的晶格基本适配，并且，钛酸钙的热膨胀系数是9 ppm/℃，比氧化硅、氧化铝都大，与铌酸锂的15 ppm/℃更为接近，内应力降低。
并且，下图蓝色是铌酸锂，不再采用业内常见的脊型结构，而是采用铌酸锂的条型波导，对可靠性而言，更好，不易出现薄片裂纹。
电极下移，远离光学波导，避免电极产生的吸收损耗。下移之后，就不需要像Y9T309结构的电极拉远，可以更近一些，也就是Y9Y109增大ε，而华为这个采用更大的ε，以及更大的E，从而εE的乘积更大。
这种结构，无论是Z cut的垂直电场，还是X cut的水平电场，都可以增强。
如果是x cut，除了横向的电极分布，可以在横向电极下移后，增加Z字分布，利用垂直方向将横向电场拉向铌酸锂波导区域，顶部加电极，可以再次将电场上移，增强铌酸锂波导区与电场横向分布的重叠比例
