Y9T314 铌酸锂调制器的“双折射效应”到底有没有
双折射效应，<2022合集上> 再次理解o光e光，及双折射晶体的PBS，就是一个材料有俩折射率，光的不同偏振态穿过晶体时，折射角度不同，传输速度也不同。偏振态，在不同的应用场景里分为o光e光，TE/TM，p光s光等等
两个偏振态的折射率不同，可以是材料本身导致的，也可以是后期加工波导结构导致的，薄膜铌酸锂恰恰与材料本身，以及切割方向的波导结构等因素多重相关，且薄膜铌酸锂的调制器MZ结构比较长，又会选择行波电极，前几天写了电场的垂直分量、水平分量，作用于铌酸锂晶体上，也需要考虑其切割是矢量方向。
也就是说，在调制器的行波调制器结构里，我们要考虑6个矢量，电信号的“低频电磁波”的波动方向，调制电场的水平和垂直分量，这三个矢量两两正交。光信号是载有信息的高频电磁波，也有波动方向，TE光的水平偏振，TM光的垂直偏振，这三个矢量方向，也是两两正交的。
首先，我们做调制器，经常会遇到偏振态的控制，偏振分离，偏振旋转，偏振集合等等，对于偏振态需要“控制”，就得需要了解不同偏振在不同材料中的现象。
铌酸锂调制器，有些人说“偏振不敏感”，避免了双折射效应，有些说偏振敏感。
无论是调制电极如何分布，最终需要将电场分量取向光场的z轴方向，让正电荷的Li或Nb，以及负电荷的氧，做Z轴相对运动，这叫“极化”
铌酸锂材料的Z轴的等效光学折射率，与x轴或者是y轴的折射率不一样。
如果光的波导方向是垂直于z轴，那么TE/TM其中一个偏振态的折射率更大，是o光，而另一个偏振态是非常光，e光，这就出现了
双折射效应，俩偏振态折射率不同，设计上就要针对材料原子的分布，去考虑双折射效应带来的额外偏振变化，增加补偿。
如果光的波动方向，是沿Z轴传输，那么TE/TM都是寻常光o光，没有双折射效应。（备注一下，这个方向是材料本身无双折折射效应，如果后期的波导结构设计形状改变，那么偏振态对应的折射率会再次随波导结构变化而变化）
铌酸锂的晶体取向，是各向异性的，电场分量的设计，光场分量的设计，都需要考虑晶向。之前聊电场分量与铌酸锂的晶体方向比较多，今天写一下光场分量。
