最近在写一个薄膜铌酸锂的报告，摘其中几个图，（~110页PPT），今天上午10:00-11:30，做个逻辑性的解释。在线ppt投屏链接方式，咨询我同事18140517646，别在公众号下边留言，那个并没有回复的~~~
电光材料之铌酸锂与薄膜铌酸锂
2023-11-11 10：-11:30
相干通信发展，130GBd的大带宽需求
第一代32GBd 100G相干模块采用铌酸锂
铌酸锂的居里点最高的铁电材料
什么是铁电材料
什么是居里点
为什么关注居里点
铌酸锂用于第一代相干模块，但并没有一直升级更大带宽
第一代相干模块的铌酸锂波导与电极分布
早期铌酸锂波导—尺寸很大，导致带宽受限
半导体调制器—电极分布，可提升调制器带宽，为什么InP调制器异军突起，替代了铌酸锂调制器，成为32GBd后的调制器材料。
InP 调制器的发展，带宽受限，如何采用铌酸锂材料实现InP调制器的电极分布结构，提高带宽。
薄膜铌酸锂的出现
传统铌酸锂与薄膜铌酸锂的对比
薄膜铌酸锂压缩光场的结构与材料选择
硅光MZ调制器与薄膜铌酸锂调制器的区别与相同之处
如何实现铌酸锂薄膜，薄膜工艺流程
薄膜铌酸锂放在哪些衬底？，产生的光学、电学影响
如何在铌酸锂薄膜上制作光波导，湿法刻蚀、机械切割、干法刻蚀、湿法刻蚀、反应离子刻蚀，以及反应气体的选择
为何铌酸锂体材料波导损耗很小，但是薄膜铌酸锂波导损耗很大，如何降低铌酸锂薄膜光波导的损耗，包括吸收损耗，包括非理想界面的“全反射条件”不满足的粗糙度导致的损耗
铌酸锂调制的直流偏移，如何降低薄膜波导的寄生电容
铌酸锂如何控制调制电场，晶体切割方向与电极相对位置
铌酸锂调制器电极的阻抗R、L、C与结构设计，容性结构，T型结构，L型结构
薄膜铌酸锂调制器小型化
薄膜铌酸锂调制器进一步小型化与弯曲，U弯、S弯，以及铌酸锂的极性处理
薄膜铌酸锂调制器进一步小型化与微环结构，以及极性处理
薄膜铌酸锂如何控制薄膜波导的偏振
晶体取向与偏振
早期采用外置偏振
采用PLC偏振控制
混合集成偏振及相位控制
单片集成偏振分离旋转，固定偏振控制
偏振自动跟踪和控制，偏振态的实时控制
薄膜铌酸锂与光纤耦合，SSC光场转换
薄膜铌酸锂提高集成度
硅、锗、氮化硅、磷化铟等材料与铌酸锂薄膜的集成，以及功能需求
铌酸锂晶圆制作
铌酸锂切割方向
薄膜铌酸锂的应用场景
用于相干模块的IQ调制器
用于高速以太网IM-DD的强度调制器
用于低成本相干的“同源”接收端偏振跟踪
用于ITL波长可调谐激光器的外部谐振腔
用于FMCW激光器的线性扫频
用于激光雷达“相控”阵
几个TFLN光模块模块demo
薄膜铌酸锂与其他电光材料区别
InP调制器
硅光调制器
有机聚合物调制器
BTO钛酸钡调制器
薄膜铌酸锂目前的产业阶段