Y9T327 你们别再引用我的Y5T256啊
我是做光通信的，偶尔唠几句闲磕，编号呢是年度，Y5是2019年，是公众号的编年的第五年，T256呢，是第256天的内容。
去年因为这个事情，我回应过一次，Y8T236 匡国华关于905和1550激光雷达的观点
Y8T236就是2022年的第236天，也就是8月24号，在此之前这人说我是专家，在此之后描述就成了引号了，“呵呵。对“匡老师”那篇在阅读能力障碍症患者误导下写的违背基本事实的所谓回应......”
咱也弄不清阅读能力障碍症患者，指的到底是个谁，指的是我本人的话，那是什么样的人才会用一个患者的观点用来印证自己的观点呢~~，而且还“采访”，采访的过程还没发现对方有患，如果患者不是我，那也许是？？，毕竟这个事情呢，只有非此即彼的两方在参与
这一篇咋滴还在被一些人来引用，今天按我的逻辑，重新梳理一下哈
先看下面的俩圈圈
因为可见光附近的波长是可以聚焦在视网膜的，如果功率很大，对眼底有不可逆的伤害，这个逻辑，我赞同
但是，不是905nm及以下，而是400-1400nm这个范围，换句话说，940nm、1060nm这些VCSEL激光器的波长，对眼底也是有伤害的，都比1550nm的伤害要大很多。
雷达选905、940都有的，一方面考虑空气的光学损耗波段，另一方面其实是材料本身的原因，因为GaAs系的激光器，采用发光材料的应变有关系。
对于应变量子阱，GaAs的晶格常数小，掺入In后，虽然可以让VCSEL的波长增加，但是，也引入了可靠性风险。
在Y5之后的Y6-Y9，对于VCSEL而言，我写了也挺多的，关键在于咱行业的技术不断不断的更新，不要再引用老的内容了，如果要用，就引用新一些的吧。
Y9T316 （VCSEL发光材料中的）量子阱应变，薄膜应变
好，继续说逻辑关系，因为850的水汽穿透性好，所以最大功率有限，所以探测器距离较近。
这个因为所以，我不赞同，因为850nm波长的水汽穿透性好，应该推断出来的理论是探测器距离更大，才对。
因为850nm通过眼球的光学焦点在眼底，用眼安全问题，导致最大功率有限，这个逻辑关系是成立的。
因为功率有限，所以探测距离有限，这个逻辑关系不成立，原因在2022年的ECOC PPT合集里写了的，举个例子就是采用0.2W的1550nm波长的功率，可以实现500m的探测器距离，原因是相干接收
对于相干接收，相比较直接接收的技术方案，可以降低发射端的功率要求，这个是光纤通信十多年的经验了。
2023年的12月2号，我准备的是600+PPT，用于解释光模块的直调直检和相干的技术发展趋势。安排的细节我还没写，到时候关注我同事的微信（18140517646）即可，下周再说吧，~~
好，继续梳理这句话，因为1550可以实现小功率且长距离的雷达探测，是因为850不可以吗? 905不可以吗？
不是的，干涉是电磁波的干涉，850nm也可以采用FMCW啊，可为啥选1550nm，这就是产业链的共享，因为光纤通信的FMCW（在咱们相干模块里，FM的调频，叫做波长调谐，波长=c/光频， 叫法不一样而已），研究了二十多年，从早期的DWDM的非相干通信，到后来的相干通信，波长可调谐的技术在C波段，1550nm附近，反复的优化和提升，这是发射端的产业共享
虽然，从光通信到激光雷达，FMCW的工作方式，要改变一下，比如通信不要求线性度，但是雷达需要，那么，这个变化可以继续研究啊，之前的材料、可靠性、调谐的基础原理，波长的稳定，线宽的控制~~~, 这是可以平移的。
雷达选择1550，还有一个优势，就是相干接收，从2012年开始的第一代相干通信以来，对于接收端的相干的光学材料、光学信噪比、DSP的算法等等，这十多年在1550nm波段反复被研究和优化，这些也是可以技术平移的。
不是850nm理论上不能FMCW，而是不能产业直接拼接，就单单考虑波导的拓扑结构，就已经是一个研究课题了，Y7T243 几种相干接收机的拓扑结构
那么采用PLC？InP集成？SiPh集成，对于相干接收机的性能差异，也是很多科学家的研究路线
DSP的算法，那就不敢提了呀，烧钱的领域。这些也都是Y5之后写的
接着，梳理逻辑，因为1550nm的波段，所以干扰更小
这个逻辑分两个层面，第一个层面是背景光，咱的光，除了雷达给的光，还有自然光，1550nm波段，太阳的辐射较弱，这个算干扰，但更多的表述为噪声，对于探测器而言，与信号无关的能量统称为噪声，类似于光模块中的“暗电流”的表述。由于噪声大，导致探测器距离受限于信噪比较小产生的受限
第二个层面的干扰，与太阳无关，因为将来装雷达，你的车我的车他的车，都可以装，如果波长一样，就会互相干扰，这个非常致命。
选的解决方式是编码，比如AM，比如FM，这个M的意思是调制，AM是幅度调制，FM的频率调制，也就是咱收音机里的调幅和调频的意思。
通过调制，你的车我的车他的车，调制码有区别的，可以大幅度降低相互干扰，又回到罗圈车轱辘话题了，就是AM是光模块里的NRZ的IM强度调制，FM是频率调制，这些技术光通信的惯用波长，又饶回1550了
刚好呢，1550对眼睛伤害不大，且具有这样那样的可平移技术，业内就很关注这些技术将来替代短波长的VCSEL。
可但是，技术是驱动力，成本对于产业而言，那是更大的驱动力，VCSEL能占住一个低成本，就能稳稳的守住一块市场。
和咱们去买车一个道理，我不买四轮四驱，只买俩轮腿驱，是因为我不知道四驱更好么~~~~~，钱，是老百姓的心头肉
这一段，可就全乱了
这一小段，提到了几个材料，硅Si，锗Ge, 砷化镓GaAs，磷化铟InP, 铟镓砷InGaAs，这几个材料都是半导体，也经常用于接收光学作为光电转换的探测器材料。
选什么材料，与波长相关，这个逻辑对的。波长不一样，光子能量有差异，需要选择材料的外层电子的能量关系。无论是800、1000、1550的波长，行业的传统是采用半导体的反向PN电场去引导光生载流子形成电流。
产业链的成熟度，铟镓砷是很高的，但是良率 和成本确实是问题，铟镓砷的成本高，不是成熟度，而是化合物半导体，铟In/镓Ga/砷As作为光学吸收材料，需要附着在InP磷化铟的衬底上，那么这些材料要制作单晶，需要非常复杂的工艺体系
化合物半导体的制作，每一步都要小心翼翼，比如前期的化合反应生产InP，Y8T50 磷化铟衬底生成工艺
磷是非常容易爆炸的
InP的衬底上外延InGaAs做1550的吸收材料，用的是MOCVD做晶体，这个意思呢，就是850nm的激光器的GaAs也是半导体，也是需要外延生长的，也是有毒的前驱体做化学反应的....
刚才说的是半导体，接着说，发射端用砷化镓，而1000nm以上的发射端采用InP的EEL，写过硅基集成的GaAs激光器
额，前头写过的，GaAs可以是EEL，也可以是（VC）SEL，激光器的结构与材料，本质上是两个维度的说法，我们写过基于GaAs的SEL面发射，也写过基于GaAs的EEL边发射，还写过基于GaAs的FP型EEL边发射，写过GaAs的DFB性EEL边发射,还写过硅基InP的集成激光器
接着，由于硅基光电探测器在1000nm以上灵敏度不好，这个是赞成的，需要用锗或者铟镓砷材料的探测器，也是对的，可但是，咱们还写过硅基集成的锗探测器，写过硅基集成的铟镓砷探测器....
在2023年12月23号，我正在整理的一个630+PPT里，涉及到硅光集成GaAs材料、SiN材料、Ge材料、InP材料、BTO材料、铌酸锂材料等不同的工艺路线，性能的优缺点，以及可靠性因素。
额，短短几个字，不足以表达我的观点，一方面的呢，光通信的模块技术比如相干接收等，12月2号（600PPT+），12月16号是激光器的技术包括GaAs、InP等材料，ECL、EEL、SEL等出光方向，IM-AM/FM的调制方式，也是600多页PPT，12月23号还是600多页PPT说硅材料以及集成其他材料的激光器、探测器、调制器等等，展开来慢慢聊吧，我一整天以最快的速度来说，极限是600页，其他的就得删掉。
别引用那个Y5了，它太老，要引用，就引用这周末的吧，这是我的观点。观点么，科学和技术是能讨论清楚的，互相别引起“误导”就行，原本不是我的观点，被忽略前提硬加工成是我的观点，很苦恼
