Y10T38 高速PCB的亚微米粗糙度铜箔处理
华为官网上有三个“黑科技”视频，
一个是400G数据中心光模块，这个内部结构在他家代工厂之一的公开专利技术里有详细的解析，我放在《2022合集下》
一个是10G PON光模块，Y10T34 华为黑科技Class D模块，
一个是高速PCB的铜箔，叫“零微米极致光滑铜箔”，视频中没有提到具体的技术细节，有两句话，一个是铜箔粗糙度0.3-0.6μm，另一句是使用了特殊的分子键合表面处理技术
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附录，我的盲猜
高频信号的趋肤效应，这是背景，当频率越来越高，区域表面的信号对于铜箔的粗糙度变得极为敏感。
粗糙度量化，一般使用Ra，或Rz来表示，二者的定义略有差异。
在不同的标准体系里，对于PCB铜箔的粗糙度有类别划分，具体的划分线有略有差异，但大多数有一个范围的共识。
降低铜箔的粗糙度，并不是难以攻克的困境，比如压延铜的粗糙度就可以达到0.3μm
比如用激光退火工艺，在特定的铜箔区域，快速扫描一下，表面的铜原子会熔融再次冷却，变成原子级光滑，~0.2微米粗糙度
其实很多时候的“粗糙”是刻意而为的，对铜箔做粗糙化处理，如表面瘤化等等，再加上黑化棕化等等，来增加铜箔与树脂的附着面积，提高他们的结合力。
如果放弃表面的瘤化，粗化，棕（氧）化，钝化等等工艺，铜箔可以非常光滑，接下来就要考虑，光滑的表面怎么才能贴上树脂。
所谓的树脂，就是有机高分子聚合物的各种聚合类型。
这就用到了“分子键合”层。
键合，在半导体工艺里很常见。硅的氢化物就是硅烷，之前写InP激光器的波导刻蚀气体，就用到硅烷或氢气。
硅有四个共价键，硅烷偶联剂设计了X、Y两个键合机制类型。
比如下图中子硅烷偶联剂
基于Si的四个共价键，一侧可发生水解反应，形成氧原子作为中介原子的键合力，这个键合就是Intel硅光调制器键合InP激光器增益层时，硅和铟通过表面氧化物层实现的氧原子桥接面。
《2021合集下》 硅光wafer异质键合InP工艺流程,提到键合原理，和亲水面的处理，水分子的逸出机制等等。
采用硅烷偶联剂，也是利用了这个亲水（或水解）进行氧原子桥接键合力的方式与金属层互联。 这样就“不再需要刻意”对铜箔做粗糙化了。
偶联的另一侧，硅烷偶联剂中分身有有机聚合体，等于和树脂的高分子有机聚合物，俩塑料熔融结合在一起了。
铜可以直接涂覆分子键合的偶联剂，也可以插入银层或锡层来避免铜的表面被氧化。银的射频性能更好一些。银或锡都可以采用电解工艺实现。
