菲魅6月份以光芯片为主的五次技术主题解析
AI人工智能大模型计算，需要通信网络辅助其计算的完成，光模块作为光纤通信网络的一个重要配件，也算是水涨船高。
整个光模块的光学芯片如果按照材料来划分，目前以InP磷化铟、GaAs砷化镓和Si-Photonics(SiPh，硅光集成）为主。未来薄膜铌酸锂TFLN可能会成为一个大带宽的新型光学芯片。
InP主要用来做激光器和探测器，探测器比较简单，我放到基础课件里，有一个专门的解析。激光器比较复杂，成本高，技术难度大，我用两期时间来仔细解读。目前大规模用于光模块的InP芯片，以DFB（包括大功率的CW DFB）、EML（电吸收调制）、IQ-MZ调制器（用于相干模块）
Si，在光学层面，通常选择和InP合作完成激光器，纯硅做调制器，和Ge合作完成探测器
GaAs，主要用来做多模VCSEL，和量子点单模激光器，多模激光器便宜，但不容易提高带宽，量子点激光器具有窄线宽/低功耗/耐高温的优势，但很难制造高质量的量子点。
800G、1.6T大容量光模块需要大带宽的光学器件，而目前不同的材料体系的带宽发展阶段不同。
比如体材料的铌酸锂LN，带宽较低，几乎在现如今的光模块中难寻其迹
薄膜化的铌酸锂TFLN，带宽提高，只是产业链尚不成熟，未来期待能在光模块中占据一席之地。
GaAs体系的VCSEL，带宽在20-30GHz，所以对于如何用于50G PAM4,100G PAM4，200G PAM4，能做的厂家越来越少，技术挑战越来越大，十分痛苦。
基于InP体系的芯片，EML可以做到55-85GHz左右，大规模用于400G、800G的以太网/IB等光模块中，IQ调制器可以做到55-85GHz左右，也大规模用在200G、400G、800G的相干模块中。
基于Si材料的硅光模块，带宽可以做到40-70GHz，在以太网、AI、相干等场景，也有了越来越大的市场份额。
6月份的主题，几乎围绕光芯片的材料和原理来解析的，也会做几个材料之间的对比来分析异同之处。
比如，GaAs、InP、Si，以及配合Si做探测器的Ge，他们的元素分在三、四、五族，有类似的晶格结构，也由于三五族材料和四族材料的差异，导致其是否产生极化的区别。
InP调制器，可极化，就有泡克尔斯效应，这是电光调制的线性调制原理，与TFLN的原理是一样的。
Si的调制器，不可极化，就没有泡克尔斯效应，就需要去找其他途径来试图突破，这也是硅在光模块中应用时间点最晚的原因之一，需要去突破如何高速调制这个技术难题。
同一个材料体系，GaAs不仅仅可以做短波长850nm的多模VCSEL，其实也可以做单模的长波长1310nm的DFB呢，只是850 VCSEL更便宜，牢牢占据了市场。
同为InP材料，各种大功率光源，做起来十分痛苦，这和它的波导结构与效率相关。
同样的硅材料，既可以做电吸收调制器，也可以做干涉型（微环或MZ）调制器，对于产业而言，大规模商用的是干涉型结构调制器。原因在于可靠性。
同样的InP材料，既可以做电吸收调制器，也可以做干涉型（大多数是MZ）调制器，对于产业而言，大规模商用的是电吸收型的EML。原因在于尺寸、良率和成本。
同样的电吸收调制，可以用InP来做，也可以用硅来做，产业不约而同的选择InP材料的EML占据电吸收调制的主要市场份额。原因在于产业成熟度。
同样的干涉型调制器，有些厂家选择微环谐振（谐振就是干涉），有些厂家选择MZ干涉，区别在于微环虽然低功耗但是很难控制，需要好的手艺。MZ虽然又大又费电，但是容易做成。不同阶段不同工艺能力的厂家，选择了有利于自己的技术路线。
硅的调制器和铌酸锂的调制器，都历经了一个从厚到薄膜的过程，原因是一样的，可提高带宽。
但是难度不一样，硅的薄膜容易做，铌酸锂的薄膜不容易做
同样的DFB，可以用三五族来做，也可以把四族元素Si放进来做，各有优缺点。
三五族的优势是性能好，直接带隙，劣势是化合物不稳定容易被氧化。
四族元素的优势是稳定无需金盒气密，劣势是几乎不发光，依然需要借助三五族材料做集成。
同样的面发射激光器，可以用GaAs来做，也可以用InP来做，只是InP的制作难度很大。
同样的面发射激光器，可以用于多模激光器，也可以用于单模激光器，只是这种结构的单模很难制作，还很难保持住单模。
这五期，拢共1500+PPT的内容量，从材料、原理和结构来把光芯片的几个大类梳理清楚。
