Y10T181 Intel硅基量子点抗反射集成激光器

更新时间：2024-06-28 11:06:59 阅读量：869

在现如今越来越紧凑的光学封装工艺中，如何去掉大隔离器是很多人的期待，在集成光学中，实现隔离器的薄膜化和集成化就更难了，对于无隔离器的片上集成方案，也是十分期待的。

之前聊过旭创、Lumentum、源杰、Finisar等公司的两段式结构提高抗反射能力的CW DFB光源的设计思路。可以将原本千分之三反射容忍度，提高到约百分之一反射容忍。

今年Intel尝试从他家基于量子阱结构的集成DFB向量子点结构的集成DFB发展，目的是提高抗反射能力。去掉对隔离器以及隔离器中磁致旋光法拉第片对磁铁的需求。

Intel这些年用的集成工艺是硅基InP量子阱结构

因为亲水键合，结合层有水汽，需要排出。

InP层做增益，硅层做DFB的光栅谐振结构，两层波导之间倏逝波耦合，实现集成激光器。

由于传统的DFB量子阱线宽展宽因子（啁啾因子）比较大，在2~5之间，导致抗反射能力变差，如果采用DFB的量子点结构，那么展宽因子的理论值是无限接近于0，抗反射能力提高。

Intel利用他家成熟的亲水键合工艺，第一次实现硅基量子点InAs/GaAs材料的键合，用于制作InAs量子点激光器。

实测的展宽因子，基本在0附近，在-16dB的发射下，RIN小于-150dB/Hz，没有产生很大的噪声。

额，这个结构的缺点是没有他家做了多年的量子阱激光器的效率那么高。

之前收集过Intel量子阱DFB的PI曲线，

把他们放入同一个坐标轴，量子阱的效率目前看比量子点要高很多。

量子点的俩特点，抗发射能力提高很明显，第二个特点就是在25℃到80℃的温度升高时，斜率下降的不是特别明显。这个有点只能算是附带的。