这周六,聊一下激光器的部分,下周六聊一下硅光集成的部分。
AI大算力光模块,需要大带宽的光学器件,并且有了更多的附加要求。
对于大带宽光学器件,激光器分类两组,
一组是参与组,激光器芯片本身具备大带宽的高速特性,比如200G的VCSEL,200G EML,还有100G DFB等等。
另一组是辅助组,激光器本身无速率属于直流组,但激光器可用来配合大带宽的器件完成工作,比如在相干光模块里配合高速IQ调制器的窄线宽可调谐激光器,比如在800G、1.6T、3.2T、6.4T光模块配合大带宽多通道的集成硅光芯片的CW大功率DFB激光器。
高速组,在本周六要聊的是基本的原理,如何发光,如何控制光的波长、谱宽、线宽、功率、温漂系数、电光效率......
以及如何提高带宽。
高速激光器芯片,特别看重电阻与电容产生的谐振频率的控制,这个频率影响带宽的关键因素,尤其是PN结的结电容,对带宽响应更为明显,其次是寄生电容,还有各种串联电阻的设计。
高速激光器芯片,其次部分激光器很看重输入电流与输出光之间的“电学载流子与光子”产生的谐振(或者叫共振)频率,这个频率也是影响带宽的关键因素。
高速激光器芯片,还看重光学与光学的谐振(或者叫共振,光学层面也可以叫干涉)频率,也就是光子光子共振频率对性能的影响,一部分厂家利用这个频率来“峰化”激光器带宽,(峰化的原理在昨天聊过的),另一部分厂家则将此频率视为噪声,要降低这个影响,这就是抗反射与优化RIN的思路,但电磁波的干涉原理是一样的。
当然不同激光器类型,优化方式也会不同,比如PN结电容的控制,有些采用掩埋结构,有些则采用台面结构,还有其他类型。
大多数是正常的PN结,少数场景选择了隧道结,利用了隧穿现象。
博通采用了横向腔,就是设计横向腔,利用横向光子光子共振,来辅助较低带宽传统VCSEL垂直腔结构来提升带宽的。
有一部分场景除了大带宽,还需要大功率,产业里还有一部分EML集成SOA的设计,那就需要考虑更多的设计维度。
来到辅助组,用来配合相干模块高速调制器的ILT窄线宽可调谐的激光器,也慢慢的向集成化演变和发展,这里边有需要待突破的技术问题,产业也在一步步的解决。
DFB阵列,ECL,DBR,集成ECL.....,看一下他们的技术原理
配合硅光组的CW激光器,除了聊聊共用的技术原理,大功率输出的各种结构,还聊一下新变化,比如采用双侧AR膜来提高单模率,等
在AI大算力模型下,对低功耗有着极致的需求,而微环是可以降低功耗的,配合微环的应用,采用多波长光频梳类型的激光器,由于数量降低,反而提高了可靠性。Nvidia在几次演讲报告中,都提到对这类激光器的应用前景。我会梳理一下,多波长激光器的几种类型,和主要技术原理。
传统的DFB激光器,都会选择隔离器,用来抗各种端面反射,优化RIN,我一方面讲一下传统激光器的抗反射设计,另一方面聊一下量子点的抗反射优势与产业状态。