Y10T262 海思光芯片进展
2021合集 Y7T100 海思光电:数据中心互联技术及硅光机会
2022合集 Y8T145 华为与中山大学：130GBd 铌酸锂调制器
2023合集 Y9T312 华为下移电极增强铌酸锂调制效率
2023合集Y9T311 晶正转移给华为的铌酸锂薄膜工艺专利
2023合集Y9T286 华为：硅基集成薄膜铌酸锂调制器及锗探测器
《菲魅OFC2024 PPT汇编》 上大/华为等：8吋硅衬底铌酸锂光刻工艺
2023合集 住友采用InP材料制作的单模1310nm PCSEL
2023合集 Y9T174 NPN型PCSEL
2023合集 Y9T173 基于表面封装基板的PCSEL封装
前言
华为海思在今年CIOE深圳光博会上有好几个报告，提到了光模块进展、光芯片进展等等。
四年前海思对外销售光模块，两年前对外销售光芯片，今年提到一组数字，三五族芯片（GaAs、InP、GaN）出货量达到1亿颗。另外，华为收购过一个硅光公司，在四族芯片的技术实力也很强。
~~，唠叨两句，做个备注，GaAs、InP、GaN、InGaASP、AlGaInAs...这些元素位于周期表的第三和第五族。Si、Ge元素位于第四族。三五族是化合物材料，工艺难度很大，但性能很高。硅光集成采用四族材料Si做调制器，Ge做探测器，且大多数场景是单元素晶体，不采用化合物做有源功能区，低成本高集成度是四族光学材料的优势。
海思每年在CIOE的报告以产业状态为主，ECOC/OFC的报告以学术为主，很多技术细节可以查他家的论文。下周ECOC就开始了，到时候再更新今年的技术细节。
Y9T258 海思激光器进展-上，Y9T259 海思激光器进展-下
正文，CIOE2024 海思光学芯片进展
今年在AI的加持下，芯片基于100Gbps PAM4/lane技术已成熟，200Gbps/lane即将商用，448Gbps/lane是未来的研究重点。
海思提到的这些光学芯片，主要关注的技术点如下，在公众号历史记录里有很多相关技术指标与工艺的解析，今天不能展开了。
高速VCSEL，技术重点与去年一样，带宽比去年更大，
200G VCSEL是产业的难点，几个月前博通发布200G VCSEL的新闻，Coherent也在积极研究，海思预计今年底/明年初会有进一步在光模块的实验数据。
高速EML，2022年华为海思就在ECOC发表200Gbps PAM4的带宽及啁啾的数据，2023CIOE提到带宽达到75GHz，今年则提升到100GHz。
100GHz带宽是可以支持400Gbps PAM4的调制速率的。海思EML处于224Gbps落地，448G启动研究
去年的光芯片进展提到了DML的DFB芯片，今年则不再继续，原因也写过，用于AI的800G、1.6T的光模块很难给DML提供机会。
而AI支持的是多模VCSEL，单模EML与硅光并驾齐驱的产业状态。2021年海思报告提高硅光技术的观点，之后在硅光工艺平台上积极研究TFLN薄膜铌酸锂工艺
今年的进展如下，调制器有纯硅调制器，以及硅基的TFLN铌酸锂薄膜调制器，硅光平台增加SiN氮化硅薄膜工艺，实现片上MUX、DeMUX，尤其是Rx侧的DeMUX的平坦度、低温漂系数与隔离度要求需要满足。
海思的硅光集成，基于单lane 100Gbps或200Gbps的技术，进行四通道或八通道的集成度，满足400G、800G、1.6T光模块需求。
硅不发光，用于硅光的大功率DFB芯片，华为海思也研究了很多年，去年是70mW产业化，今年100mW产业化。
另外，海思在去年和今年都提到了PCSEL，对比的是VCSEL工艺，
VCSEL是基于一维光栅谐振腔的表面发射，目前是多模为主，积极研究单模，但单模存在可靠性风险，功率也很小。
PCSEL是基于二维光栅（光子晶体）的表面发射，单模输出，输出功率比VCSEL大很多，难处是二维光栅的制作工艺。
Y10T261 中移动干线光传输及空芯光纤进展，昨天中移动提到在空芯光纤应用对单模VCSEL的需求，其实PCSEL也是可以满足这一应用的，只不过单模VCSEL不成熟，单模PCSEL也不成熟而已。
之前写过的一些
用于硅光集成芯片的光源，CW DFB是目前产业的主选技术，产业很多厂也在研究多波长光频梳作为光源，华为在去年ECOC Workshop里对此技术与传统DFB的应用，阐述了下自家观点
华为基于5μm大光斑低限制因子的大功率CW DFB，近两年也发表了很多关于可靠性的数据。
CW 光源，配合硅光芯片的话，还有一个方向就是抗反射能力的提升，一方面是结构处理，比如弯曲、端接、无约束前端波导..., 另一方面用量子点技术来提高抗反能力，
华为在量子点激光器方面也有一些研究数据。
周六，做个基础解析。
