Y10T274 HyperLight 薄膜铌酸锂调制器进展
薄膜铌酸锂的优势，公众号写了很多，不赘述，今年年初整理了一个册子，预计明年年初再更新一个版本。
薄膜铌酸锂的大带宽，低损耗，非常适合高速调制器的发展需求。
HyperLight做铌酸锂调制器芯片，今年ECOC有个特邀报告，聊了一下进展，铌酸锂芯片是与新易盛合作的，提供给Arista
在OFC2023，OFC2024，Arista都评估过大容量光模块的功耗问题，其中采用LPO是解决降功耗的一个策略。
并且对比了硅光方案与薄膜铌酸锂方案的功耗，相比较而言，薄膜铌酸锂的调制效率高，光学损耗小，总体的光模块功耗也低一些。
HyperLight铌酸锂调制器今年测试了400Gbps/lane的PAM4，模块是新易盛封装的，通过McGill大学实验室的是德仪表做的眼图测试
仿真建模的一些数据，如下，采用差分驱动，摆幅要低于1Vpp才能有足够的带宽。
降低摆幅提升带宽，这都是常规操作
Y10T272 Lumentum 105GHz带宽400Gbps PAM4 EML芯片
铌酸锂只看这个材料的话，理论带宽能大于200GHz，但是咱们是电光转换，总得需要电极设计。
电极的传输线设计，是限制整个电光调制器带宽的关键
HyperLight做了个分析，在7mm调制长度下，理想的射频电极设计是50Ω单端阻抗，射频损耗0.75 dB/cm.Hz, 考虑了趋肤效应随频率的变化，射频折射率与光学折射率匹配，光信号与电信号的波动速率相同。
蓝紫色的线，带宽>110GHz的。
但是，（黄色），如果射频电极设计不合理，射频损耗0.9dB/cm.Hz，这个-3dB的带宽就降低到80GHz左右。
如果调制器长度倍增，1.4mm的电极长度，则带宽<40GHz, 主要是射频信号末端驱动能力指数程度降低。
如果光折射率与射频折射率出现差异，行波调制方式导致相位不匹配，带宽下降
《2021合集》 Lumentum 高速调制器60GHz带宽的行波处理
再一个，看下红色线，出现微波，这是阻抗不匹配导致电磁波反射引起的振荡。
10月底，我有一个光学芯片的封装专题，三小时，会聊到射频信号的纠结，射频电极，需要综合考虑串联电阻、寄生电感、电容，这些参数有寄生振荡，也影响阻抗与射频折射率的结果。
另外，电极好不容易考虑了自身的阻抗、射频折射率、避免振荡这几个参数的平衡，还需要考虑衬底损耗，调制效率...对调制带宽的影响。
铌酸锂调制器的射频电极设计，是一个难题。
铌酸锂的薄膜波导的成型工艺，是另一个难题，批量生产的低成本薄膜波导成型工艺则是难上加难。
电子束光刻，精度高，但成本很高，不适合批量生产。
采用离子刻蚀、反应离子刻蚀等光刻工艺，则需要考虑波导侧壁粗糙度、考虑反应离子引起的残留物沉积....
这在产业化过程中，工艺技术路线的优化与可行性需要考虑的。
HyperLight提了一下他家基于量产的薄膜铌酸锂晶圆级性能与可靠性控制。
2024年10月26号，有射频特性的一些解读
