Y10T297用于L波段的铒纤浸泡、多次浸泡与沉积工艺
去年与今年CIOE，产业里提到400G超长距传输在C+L波段的拓展，以及各种L波段EDFA的产业化进展。
对于L波段而言，铒纤的增益较低，损耗较大，通常通过提高铒离子浓度来提高增益。或者通过铒、磷、铝共掺来降低L波段损耗，间接提高放大器增益。
今天略补充一下铒离子的掺杂方式。业内常用的有浸泡式和沉积式，浸泡式可以用低成本的单次浸泡，也可以采用多次浸泡来获得较为可控的铒离子分布曲线，当然可以采用原子级逐层沉积的方式，获得精确的离子掺杂浓度的控制。
华为对铒离子的分布，有数学公式，我就用这个来解释。
浸泡式，让光纤的前身，多孔棒浸泡在含铒离子的溶液中，多孔棒就像粉笔一样疏松结构，可以充分吸附铒离子，之后干燥脱水，再将含有铒离子的多孔棒烧结熔融成玻璃，再拉丝成掺铒光纤即可。
对于L波段，如果需要掺入磷、铝来降低激发态吸收损耗，把含铒离子的溶液，换成铒、磷、铝多种离子的复合溶液来做掺杂。
提高铒离子浓度，可以获得更大的增益G，但同时也会导致ASE自发辐射噪声，增大G可以降低NF噪声指数，但提高ASE则会增大噪声指数。这就是矛盾。
多次浸泡，就是通过掺杂浓度的精确控制，获得光信号的大增益，但抑制铒纤自身的ASE辐射功率。
铒离子的浓度，与光信号的单模光场的高斯分布做一一对应，光信号的横向光场在光纤中心能量高，铒纤就在中心区域做重掺杂，光信号在光纤波导层边沿的部分能量小，铒纤就做轻掺杂，重点是降低自发辐射噪声。
通过光场与铒离子浓度的控制，实现增益最大化，且噪声最小化。
下图这个公式的取值，来源于华为的一组实验
多次浸泡，控制每一次的铒离子浓度，实现阶梯状的掺杂浓度控制。
多次浸泡，需要先沉积再浸泡。如果改善的话，可直接通过沉积工艺环节，加入掺杂离子，直接获得更为精确的掺杂浓度。
多次浸泡，需要先沉积再浸泡。如果改善的话，可直接通过沉积工艺环节，加入掺杂离子，直接获得更为精确的掺杂浓度。
