Y11T1 辞旧岁---去年公众号分类

更新时间:2025-01-01 10:01:46 阅读量:574

从Y10T1-Y10T366,把内容归一下类,今天画了几千个图,1月11号用图片的形式做个解读,下文是文字版本的分类。

Y是year的意思,第十个年头。T是技术的意思,Txx是编号,按顺序来的。

  • 基础内容解析

    • 2024春节有一个系列的基础解析,后来做成了视频,2025预计春节也有这么一个系列。

      • Y10T41【通信基础】用于通信的光纤

      • Y10T50 【通信基础】几个常用的光模块外型

      • Y10T103 CXP

      • T10T43 【通信基础】比特率、波特率、带宽

      • Y10T44【通信基础】用在光模块中的各类透镜

      • Y10T45 【通信基础】光模块与眼图

      • Y10T46 【通信基础】脉冲展宽、色散、时延与误码

      • Y10T203 为何光模块商倾向于收窄色散范围

      • Y10T47 【通信基础】光模块的灵敏度

      • Y10T48 【通信基础】光模块里的MUX、DeMUX和隔离器

      • Y10T338 斯坦福大学:片上隔离器

      • Y10T49 【通信基础】几个常用波导尺寸与模式

      • Y10T73 一些材料的折射率曲线

      • Y10T42【通信基础】光电探测器

      • Y10T220 探测器材料的吸收系数单位为cm-1

      • Y10T284 NTT 165GHz 带宽背照PD高速探测器

  • 相干通信发展趋势或进展

    • Y10T56 提高干线单纤容量的几个维度

    • Y10T3区分一下低成本相干模块

    • Y10T9 诺基亚162GBd相干通信

    • Y10T180 Infinera:大容量C+L+S还是C+L+E波段?

    • Y10T121 BT 大功率400G ZR+ 310km相干通信实验

    • Y10T123 相干模块互操作接口E/ZR/ZR+

    • Y10T125 Meta对于400G向800G 1.6T ZR+发展趋势的看法

    • Y10T182 Ciena:800G热插拔相干模块设计重点

    • Y10T126 Coherent :1600ZR模块的技术挑战

    • Y10T143 Acacia 138GBd 1.2T DCI 172km传输

    • Y10T145 Coherent 140GBd IC-TROSA

    • Y10T152 Marvell:面向1.6T相干的低功耗DSP的挑战

    • Y10T342 Infinera:用于DCI 相干ZR模块的发展趋势及挑战

    • Y10T334 华为:下一代互联网超大带宽解决方案

    • Y10T8 华为相干模块发射端预加重模型优化

    • Y10T261 中移动干线光传输及空芯光纤进展

    • Y10T291 信通院:中国光纤通信现状及数据

    • Y10T165 ITU-T SG15标准进展

    • Y10T5 阿里关于DCI互联的不可用性分析

  • AI人工智能/以太网/数据中心/OCS光交换...

    • Y10T27 AI与高速以太网光模块技术

    • Y10T303 为何800G热插拔光模块如此关注C2M损耗

    • Y10T63 为何800G模块也开始关注偏振模色散及色散补偿

    • Y10T172 偏振模色散、DGD、差分群时延

    • Y10T191 偏振、偏振相关与去偏

    • Y10T64 高速400G、800G光模块器件封装对带宽的影响(内含了一部分广告)

    • Y10T65 为何800G光模块关注差分信号线的时延

    • Y10T82 NVIDA:AI场景对硅光模块的要求

    • Y10T95 旭创:用于生成式AI的高速光模块

    • Y10T161 字节:用于AI的高速光模块路线图

    • Y10T102 海思:大容量光电器件需求及挑战

    • Y10T138 海思:AI场景下的光模块技术

    • Y10T271 海思用于AI场景的智能光模块--续

    • Y10T163 华为:AI组网与延时

    • Y10T175 Nvidia对下一代用于AI的硅光引擎功耗的预期

    • Y10T166 数据中心1.6T色散及四波混频技术的研究进展

    • Y10T173 Arista 3.2T光模块功耗评估

    • Y10T260 信通院:用于AI数据中心的光模块进展

    • Y10T329 Avicena 采用uLED做为AI组网的光源

    • Y10T236 Meta 200G FR4与400G FR4失效统计

    • Y10T263 腾讯:800GBR8、BR+、BR4.2

    • Y10T234 字节跳动部署4万个800G SR8

    • Y10T357 AI、AI加速器、PCIe互联模块

    • OCS光交换相关,包括用于OCS的光环形器

      • Y10T96 谷歌:基于OCS的AI场景对光连接的要求

      • Y10T17 谷歌TPU用到的DSOI结构MEMS

      • Y10T30 OCS光交换机的光路控制

      • Y10T32 OCS光交换的光纤阵列控制

      • Y10T33 光交换机的透镜阵列

      • Y10T89 NVIDIA采用OCS光交换实验

      • Y10T116 Coherent的光交换OCS

      • Y10T169 伯克利 基于硅基MEMS的OCS

      • Y10T340 剑桥/华为:硅光片上光交换低串扰设计

      • Y10T343 WSS里的液晶,其铁电效应与光电效应是一回事

      • Y10T4上交采用相变材料制作低功耗非易失光开关

      • Y10T13 东辉转给旭创的四端口环形器专利

      • Y10T72 谷歌用于AI的800G bidi环形器

      • Y10T189 旭创 CWDM4 BiDi紧凑型布局

    • 高速数据中心及AI场景光模块功耗越来越大,产业提出低功耗LPO概念以及产业进展

      • Y10T92 成立LPO MSA

      • Y10T55 字节:基于800G LPO的51.2T交换机

      • Y10T97 Meta LPO进展及观点

      • Y10T98 华为对于LPO光模块的观点

      • Y10T108 MACOM AI与LPO

      • Y10T112 谷歌:对于LPO与CPO的观点

      • Y9T137 科大讯飞&华为:AI场景智能光模块与LPO光模块

      • Y10T162 海信:用于AI集群的高速LPO光模块

      • Y10T176 华为:用于LPO方式是系统侧FEC增强

      • Y10T217 Meta:800G FR4 LPO/CPO用于100m传输

      • Y10T317 Arista对于AI组网光模块发展观点-LPO优势

    • 高速数据中心及AI场景光模块功耗越来越大,产业提出的散热性能的优化

      • Y10T201 热阻、结温与导热系数的关系

      • Y10T12 高速光模块用到的均热板

      • Y10T18 旭创OSFP笼子自动挡板

      • Y10T53 QSFP-DD1600光模块热设计

      • Y10T62 光模块中由于热膨胀系数差异导致的应力

      • Y10T69 烧结银与半烧结银

      • Y10T153 Ciena:集成液冷光模块

    • 一些封装工艺

      • Y10T244 铝焊盘打金线的推拉力测试

      • Y10T247 云晖MPO适配器增强结构

      • Y10T231 旭创多模模块避免胶水污染光学区域的方法

      • Y10T23 华工:透镜平面胶黏工艺的预补偿

      • Y10T282 tyndall 低成本树脂透镜耐回流焊实验

      • Y10T77 POET的硅光模块为啥叫“Interposer”?

      • Y10T239 AI场景与BOX气密封装

    • 高速信号相关内容

      • Y10T304 为什么高速光模块的电信号叫“射频”信号

      • Y10T107 损耗角与损耗角正切

      • Y10T81 高速光模块AC电容尺寸、类型和编码对信号的影响

      • Y10T232 为何很多厂家选择降低调制摆幅提升带宽

      • Y10T348 博通提高驱动器输出摆幅的方式

      • Y10T11 [猜]800G模块用的M8板材的材料

      • Y10T38 高速PCB的亚微米粗糙度铜箔处理

      • Y10T198 800G光模块PCB工艺从HDI向SAP或mSAP演进

      • Y10T200 蛇形补偿线考虑差分阻抗连续性

      • Y10T28 导电橡胶降低模块EMI电磁干扰

      • Y10T212 光或电信号通过吸收降低反射

      • Y10T324 IMEC 224Gbps PAM4 Rx模拟Demux

      • Y10T224 略聊几句旭创FC封装工艺

      • Y10T185 DSP通过集成电感提高带宽

      • Y10T192 Marvell DSP中低功耗VGA设计

      • Y9T219 台积电:片状GAA全环栅结构

    • 光学信号参数解读

      • Y10T174 FFE/DFE的延时是用来做什么的?

      • Y10T186:TDECQ-10log10(Ceq)

      • Y10T193 有效回损ERL的物理意义

      • Y10T188 光功率OMA与Pavg的换算,dBm与mW换算

      • Y8T187 英伟达等联合提出RIN OMA的测试方法修改

      • Y10T226 区分一下OPP、OPL、TDP、TDEC、TDECQ

      • Y10T264 “OMA-TDECQ”是个啥?

      • Y10T257 区分QSFP-DD与IM-DD的两个DD

      • Y10T254 Marvell MPI多径干扰估算及补偿

      • Y10T289 AI算力“3000P”的意思

      • Y10T267 光通信发展趋势:一页行走的元素周期表(含有一部分广告)

  • 有线接入PON、FTTH、FTTR及无线接入5G等应用

    • PON系统

      • Y10T128 中电信:10GEPON与50G PON共存

      • Y10T129 为何高速PON的Tx功率要求越来越高

      • Y10T58 50G TDM PON光模块引脚定义

      • Y10T314 华为 50G PON ONU采用模拟芯片替代DSP的Rx验证

      • Y10T307 华为三代共存50G PON的class D 35dB试验

      • Y10T308 诺基亚50G PON APD灵敏度与Tx TDEC关系

      • Y10T305 大功率50G PON会引起共存的XG PON掉线

      • Y10T293 华为:50G PON商用启航

      • Y10T319 中移动 50G PON C+评估

      • Y10T259 FTTR进展

    • 5G中回传Y10T150 思科新易盛:100G BdDi 60km传输实验

    • PON光器件OSA、TO等封装

      • Y10T16 从博创combo PON OLT的前光监控展开聊聊

      • Y10T34 华为黑科技Class D模块

      • Y10T363 德科立50G PON共存OLT器件

      • Y10T364 正源:50GPON共存OLT光器件

      • Y10T361 昱升双接收TO用于Combo ONU

      • Y9T25 新易盛用于DSFP的mini BOSA

      • Y10T359 昱升:双接收TOcan--案例1

      • Y10T366 海信:1577/1490 双激光器TO

      • Y10T356 海信:高速ONU“非”同轴设计

      • PON光芯片

    • 用于PON光模块的APD探测器

      • Y10T83 区分PD、APD和PIN-TIA

      • Y10T265 超晶格APD

      • Y10T266 华为超高灵敏度50G PON APD

      • Y10T331 浙大超高增益锗硅APD,用于50G PON

      • Y10T333 三菱低噪声APD的k因子进展

  • EML、VCSEL、DFB、CW光源、ITLA可调谐激光器等,(其中的EML、CW DFB、DFB、VCSEL,我整理了一册算是技术报告的文档,可详询菲魅)

    • VCSEL芯片与封装

      • Y10T339 什么是“VCSEL”?

      • Y10T6 VCSCEL水汽导致的铝氧化与可靠性

      • Y10T7 VCSEL水汽氧化失效风险的改善措施

      • Y10T86 博通200G VCSEL

      • Y10T90 Coherent用于50GBd的无氧化物限制孔的 VCSEL

      • Y10T133 对比一下富士通800G LPO用的单模VCSEL

      • Y10T281 单模VCSEL进展

      • Y10T66 Intel关于VCSEL方案的CPO

      • Y10T76 Finisar 4x100G COB工艺布局

    • EML芯片与封装

      • Y10T275 博通200G EML进展

      • Y10T237 博通200G EML的锥形波导区

      • Y10T272 Lumentum 105GHz带宽400Gbps PAM4        EML芯片

      • Y10T93 三菱300Gbps 85GHz 台面结构EML

      • Y10T94 三菱用于50G PON的EML-SOA

      • Y10T14 旭创基于差分EML的TO can封装

      • Y10T24 光迅高速EML COC封装基板

      • Y10T216 联特EML差分COC基板

      • Y10T214 海信EML差分COC基板

      • Y10T352 海信EML COC封装一个案例

    • CW 激光器芯片

      • Y10T258 住友CW DFB+SOA激光器的波导结构

      • Y10T306 光模块的CW与激光雷达的CW,确实都叫连续波,但意义不一样

      • Y10T84 华为700mW大功率SCOW激光器进展

      • Y10T88 Lumentum 用于CPO的8λ激光器阵列

      • Y10T183 LUmentum多波长激光器良率管控方法

      • Y10T178 AyarLabs多波长外置光源

    • CW 激光器组装

      • Y10T35 AOI 表面TOSA安装应力的处理

      • Y10T74 云晖:用于硅光集成的CW光源组件

      • Y10T323 什么叫硅光芯片的“Free Space”方案?

      • Y10T252 钧恒:激光器与硅光芯片耦合垂直位错控制

      • Y10T249 快手自研400G DR4 硅光模块结构

      • Y7T161 补充 GF Flip Chip工艺的俩图

      • Y10T40 大功率CW激光器与硅光芯片的非线性效应

      • Y10T233 Marvell硅基三叉戟SSC与激光器FC耦合损耗

      • Y10T326 三菱:采用TO封装锁波激光器,用于相干下沉

    • CW 激光器外置ELS组装

      • Y10T19 用于CPO的ELSFP标准更新

      • Y10T354 关于ELSFP的功耗

      • Y10T240 博通用于CPO的外置激光器

    • ITLA 可调谐窄线宽激光器、波长锁定设计等

      • Y10T301 Marvell 窄线宽激光器的线宽不足以评估800G的接收端ROSNR代价,建议修改测试方法

      • Y10T190 Marvell 混合集成可调谐激光器

      • Y10T279 诺基亚硅基混合ECL可调谐激光器

      • Y10T328 华科/元芯 可调谐激光器ITLA进展

      • Y10T256 旭创400G ZR+的ECL视图

      • Y10T296 EPFL:集成掺铒波导可调谐激光器

    • SOA半导体放大器

      • Y10T91 Innolume 量子点SOA

      • Y10T322 EML+SOA 200Gbps 80km传输

    • 其他激光器相关内容

      • Y10T238 激光器芯片一些金属悬片的作用

      • Y10T31 一些激光器的PCE电光效率

      • Y10T311 激光器功率密度

      • 【2024-11-2】 高速光模块所用激光器的各种分类

      • Y10T262 海思光芯片进展

  • 硅光集成调制器、探测器、封装耦合工艺等类

    • 硅光集成调制器

      • Y10T325 硅光调制器的损耗很大,都损耗在哪里了?

      • Y10T104 Intel:224Gbps微环嵌入MZ 结构硅光调制器

      • Y10T148 GF:微环调制器的自热效应评估

      • Y10T164 AMD 小半径64Gbps微环调制器

      • Y10T276 IMEC用于低功耗波分复用微环调制器

      • Y10T144 闲聊几句Celestial AI的Photonic Fabric的调制器

      • Y10T273 RTU/IMEC 160GBd GeSi EAM电吸收调制器

      • Y10T300 Lumiphase 基于BTO的高速调制器进展

      • Y10T298 ETHZ:表面等离子小型调制器进展

      • Y10T312 住友等通过电光均衡设计提高调制器带宽

      • Y10T335 诺基亚 170GBd 硅调制器

      • Y10T336 硅调制器微环嵌套MZ结构IQ调制器进展

    • 硅光集成探测器

      • Y10T332 为何有些厂家只选硅光Tx, 不选硅光集成Rx

      • Y10T135 GF 224Gbps Rx的片上DGD评估及补偿

      • Y10T87 上大:锗硅APD的低温特性

      • Y10T119 HP 160Gbps双环APD纯硅探测器

      • Y10T349 Marvell C+L波段锗硅探测器工艺

    • 硅光芯片与光纤耦合封装

      • Y10T39 光纤阵列与V型槽对准

      • Y10T51 北半:离子注入工艺硅弯曲偏振不敏感SSC

      • Y10T110 Intel:支持硅光芯片量产的光学接口

      • Y10T147 3M扩束EBO光纤连接器

      • Y10T160 旭创:硅光与光纤的三叉戟结构耦合设计

      • Y10T179 剑桥/华为:3D增材打印光纤耦合结构

      • Y10T294 增材3D打印硅光端面耦合透镜

      • Y10T330 硅光调制器如何与光纤耦合?

      • Y10T235 思科CPO耐高温抗翘曲光纤焊接工艺

      • Y8T98 用于CPO的插座,补两个图

      • Y10T242 博通PIC边缘耦合SSC

      • Y10T245 Marvell 硅光前端面SSC扩束及透镜设计

      • Y10T251 云晖:硅光芯片胶粘工艺的光学位错控制

    • 集成波导耦合

      • Y10T100 IMEC 晶圆级光互联氮化硅拼接损耗

      • Y10T155 GF:SiN波导DGD控制与弯曲损耗控制

    • 采用硅光集成技术CPO产业、封装等技术

      • Y10T131 Marvell:CPO产业生态及发展现状

      • Y10T132 Marvell CPO制造工艺难点及改善措施

      • Y10T109 博通51.2T CPO交换机

      • Y10T141 Nubis 1.6T 线性直驱高密度光I/O

      • Y10T360 英伟达投资的那个AyarLbas

      • Y10T299 Nvidia预计25Q3推出CPO光引擎的IB交换机

    • 用于LPO/CPO的晶圆级封装

      • Y10T130 AMF 用于8x224Gbps LPO的FOWLP硅光封装工艺(归类到扇出封装)

      • Y10T195 Marvell与Astar基于TMV的CPO晶圆级封装

      • Y10T29 Marvell营收及硅光异质集成技术(含了一部分市场)



      • Y10T159 GF:晶圆级FOWLP硅光封装

      • Y10T213 思科3.2T CPO降低硅光芯片翘曲度的方法

      • Y10T350 康宁:降低扇出式封装翘度度的可调膨胀系数玻璃基板

      • Y10T60 Intel 高频玻璃封装基板的可靠性优化

      • Y10T345 硅光芯片翘曲与布线改进

      • Y10T221 CoWoS-L工艺

      • Y10T223 RDL再互联工艺

      • Y10T202 博通:用于CPO LGA工艺的铜柱工艺

      • Y10T205 不同带宽BGA焊球沉积工艺

      • Y10T207 光模块热插拔LGA插座与接触点

      • Y10T228 立讯垂直双向电连接器(与LGA相关)

      • Y10T270 IHP 200G接收机采用直接键合工艺优化封装带宽

    • 其他集成技术(InP集成、薄膜铌酸锂集成)

      • Y10T136 NTT 200GBd InP调制器

      • Y10T168 住友:硅基InP集成相干芯片

      • Y10T151 上大/华为等:8吋硅衬底铌酸锂光刻工艺

      • Y10T154 中山大学:TFLN衬底刻蚀与射频损耗

      • Y10T158 薄膜铌酸锂上包层低损耗处理工艺

      • Y10T230 华科与山大“表面等离子铌酸锂调制器”的区别

      • Y10T209 山大:利用金属表面等离激元增强铌酸锂调制效率

      • Y10T274 HyperLight 薄膜铌酸锂调制器进展

      • Y10T315 电光均衡提高带宽的设计用于铌酸锂调制结构

    • 流片工艺

      • Y10T280 GaAs多晶的水平舟制取法

      • Y10T2 在InP衬底通过液滴外延制作InAs量子点

      • Y10T210 源杰:端接波导工艺流程

      • Y10T181 Intel硅基量子点抗反射集成激光器

      • Y10T79 对比一下微系统所的硅基InP集成激光器工艺

      • Y10T277 海思:硅基量子点激光器105℃可靠性试验

      • Y10T278 华为与UCSB硅基外延生长量子点激光器的对比

      • Y10T21 九峰山实验室:多材料集成平台

      • Y10T114 UCSB TFLN-Si-InP键合工艺流程

      • Y10T67 芯片的晶圆级混合键合

      • Y10T157 AIM:300mm Si/SiN 集成平台

  • 光纤工艺、多芯光纤、空芯光纤、光纤弯曲与应力、增益光纤、增益光纤放大器等

    • Y10T358 FTTR、皮线光缆、透明皮线光缆

    • Y10T20 光纤的紧套与松套

    • Y10T59 光纤断点检测的两种方式

    • Y10T118 小结:光纤工艺、特性及分类

    • Y10T124 光纤应力

    • Y10T215 住友保偏光纤弯曲应力设计

    • Y10T111 康宁用于硅光封装的3mm弯曲半径光纤

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    • Y10T283 领纤:空芯光纤进展

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