Y11T15 旭创：量子点激光器外延工艺

更新时间：2025-01-15 10:01:20 阅读量：365

《2023合集》 旭创用于CPO模块的大功率CW 激光器，是基于InP材料的量子阱激光器，设计了很多抗反射的结构。

量子阱激光器对反射是比较敏感的，需要通过额外的抗反设计来降低RIN。

《光通信技术动态与案例-Y10卷》 英伟达等联合提出RIN OMA的测试方法修改

而量子点激光器则具有理论上的反射不敏感性，也就是天生抗反射。这也是很多厂家比较关注量子点的原因。


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今天补充一个旭创的量子点工艺，这也代表更多的主流厂家对量子点技术的关注。旭创这个工艺是在GaAs衬底上制作的InAs量子点结构。


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量子点是在InGaAs量子阱层采用SK工艺，在450-500℃下生长的。

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晶体的外延生长，通常有三种模式，F-VDM模式，V-W模式以及S-K模式。

F-VDM模式就是层状生长模式，通常用于量子阱层，也需要晶格匹配或者基本匹配。咱们激光器最常见的就是这种外延工艺。如果要用这种工艺来做量子点，可以先做微结构结构，再通过类似选择性生长来做等效量子点。有点像种地，先挖出坑，再撒种子。


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还有一种是V-W模式，直接就是以岛状生长，原子与底部衬底的键合力很弱。


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S-K外延生长模式，是广泛用于量子点成型的工艺，也叫作自组装工艺，先是层状生长，然后长几层原子后，原子与原子之间的键合力，会自动组装成“岛”状。有点像磁性珠玩具的依靠“磁力”自组装的现象。旭创的量子点工艺，选择S-K生长模式。


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有源区的量子点层，是多层叠加，用于增加输出功率。

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多层叠加的量子点层之间，需要设立间隔层，来释放汉堡包结构的阱-点-阱层之间的应力，提高量子点的均匀性。


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提高量子点分布的均匀性，可以降低激光器的线宽。

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