Y11T50 Ranovus与联发科的CPO模块
这几天Ranovus在DesignCon2025与联发科、富士康发布的CPO，略聊几句这个方案。
从2020年开始，连续写了好多年Ranovus的CPO，今年发布的结构是用了8只800Gbps的CPO模块。下图一共是6.4Tbps的容量。
CPO的模块外型如下，采用LGA的电接口，非可插拔的固定式光学接口。
最早Ranovus发布CPO的时候，是打算用于51.2T的交换容量，每只CPO的容量是3.2T，可但是，这个结构的功耗比较大，对散热的要求极高。
2020年的方案，功耗更大一些，2021年功耗降低了40%，按照当时Ranovus提供的数据表格，3.2T CPO在40W左右。
到2023年OFC的时候，Ranovus在演讲其产品时，主要提到的就是800G的CPO光模块了。
2024年，提的也是800G CPO，（对比一下，就是博通的CPO从3.2T向6.4T演进，总的共封装是51.2T）
2025年，依然提到的是800G CPO，我猜测与功耗与散热有关。
按照Ranovus 2025年提供的数字，8x800G CPO，每只CPO的功耗按4W计算，数据中心环境温度45℃时，CPO内部温度在接近70℃
猜测现在提3.2T CPO很少原因与功耗与散热相关，是在有限区域内，每只CPO模块功耗4W与40W产生的热量以及温升是不可同日耳语的。
Ranovus采用的微环调制器，对温度是极其敏感的。
与2023、2024类似，800G 硅光CPO模块，验证了内置激光器与外置激光器方案。
内置激光器，功耗3.6W，换算一下，能耗4.5pj/bit。
博通CPO的能耗~5.5pj/bit，他俩的区别是Ranovus采用微环调制器，博通采用MZM调制器，相比较而言MZM性能更好一些，但功耗略大。
Y11T29 【通信基础】马赫曾德MZ、马赫曾德调制器MZM
Ranovus在2023年提到的800G CPO的激光器内置方案，采用Flip chip组件，然后与激光器芯片做组装。
在2021年对这个技术做了专利申请。
外置激光器，采用标准的ELS，《光通信技术动态与案例-Y10卷》413页 用于CPO的ELSFP标准
Ranovus用的是昂纳的外置激光器，四纤，每纤的功率13dBm，激光器的功耗是0.875W，CPO的功耗2.25W，不含激光器的CPO能耗2.8pj/bit，包括激光器后的能耗为3.9pj/bit，外置激光器的能耗要比内置方案更低，且可靠性与老化更方便。
ASIC到CPO采用112Gbps PAM4的传输格式，这种格式的奈奎斯特带宽约28GHz，射频损耗约5-9dB
Ranovus这次用的CPO是800G CPO, 之前写了一个关于CPO的册子，提到过CPO的市场分布情况，800G和1.6T模块依然是以热插拔为主的，目前已经形成热插拔的产业链。CPO在未来的3.2T、6.4T市场占有一定的市场份额。
