Y11T120 华为海思 540Gbps EML，带宽110GHz
在3月底的OFC，4月份的九峰山论坛，华为海思都提到了他家高速EML的进展。
我看了一下，最早写华为EML，是2016年他家与HHI合作的双侧调制合并为PAM4的结构，实现112Gbps PAM4的调制。芯片带宽35GHz
之后是2022年欧洲光博会，海思发表论文，用于200Gbps的PAM4信号的EML，EML芯片封装后的COC带宽58GHz。
之后的2023年，2024年，海思在中国光博会研讨会提到EML的带宽发展到100GHz，可以用于448Gbps信号。
2025年的美国光博会，也就是OFC，提到带宽110GHz，PAM4可调制信号400Gbps，PAM8的话可调制信号540Gbps，在零色散波长1310nm，传输距离能达到30km。
海思2025给出的EML的芯片示意图，仍然是2022年的示意图。采用RWG脊型波导结构，含铝量子阱提高效率，对接式外延生长工艺。
2025年给出了芯片的长度，大约500μm，比博通的芯片要短一些，博通EML需要一个掩埋波导到脊型波导的锥形过渡区。海思的DFB与EA都是脊型波导，只需要隔离区，不需要桥接过渡。
DFB区域，限制因子降低，提高饱和功率，EA调制区的波导收窄，降低RC常数，提高调制带宽。
隔离区，同时实现电域隔离与光域隔离，DFB正偏压，EA反偏压，隔离器P型InP下挖一部分呢凹槽作为电隔离。光学隔离是将波导设计为无源波导，隔离DFB的有源量子阱区与EA的有源量子阱区。
海思给出DFB的光场示意图。
EA区域，采用台阶式打线，降低第一段的打线长度，提高封装后的带宽，这个思路，在三菱结构了也做了对比。海思依然延续了2022年氮化铝基板的台阶结构。
Y11T117 三菱106GHz的340Gbps EML通过玻璃基板提高带宽
不同的偏置电压，EML的啁啾有所不同，而EML的波长以及啁啾，会产生传输色散代价，控制啁啾量，可以延长传输距离。
2022年，海思EML传输距离2km，今年选择的1310nm的波长及0.2啁啾分量，传输距离可以达到30km。
优化EA的吸收峰边界，海思也给出了电光响应曲线，但隐去了光功率纵轴的具体值。
根据电压与啁啾的曲线取值，以及调制的峰峰值，大约可以对应出调制曲线上的波形。
2022年的调制摆幅1Vpp，2023/2024强调的oDSP直驱，都是一个意思，通过降低调制摆幅，可以降低功耗，以及去掉Driver芯片，解决成本，采用DSP直接驱动EML芯片。
2025年，则采用了1.5Vpp驱动摆幅，是为了提高信噪比，提高眼图质量。
略写一下进展。
