《OFC2025 光模块/光芯片技术进展》之PPT汇编
周末，按惯例做了一期行业技术进展的梳理。
将其中提到的一些技术打印成图册供翻阅，由于周末仅仅四个小时，没有来得及聊的一些技术点，我也补充到了合集图册中。
如有疑问，可联系菲魅，18140517646
我个人关注光通信行业会议有三个。
CIOE，China International Optoelectronic Exposition中国国际光电博览会，创办于1999年，大多数是每年9月份举办。
ECOC， European Conference on Optical Communication，欧洲光通信会议，首届会议于1975年举办，大多数也是安排在每年的9月或10月。
OFC是Optical Fiber Communication Conference，通常在美国举行，首届会议也是1975年举办，通常每年的3月4月进行。
2025年的OFC已经举行，其中一部分技术进展，我做了一点整理与解析，依然是惯有的个人风格，图多字少，配合视频做解析。
另外呢，这个图册中还收录了一小部分非OFC会议本身披露的技术，是在2025年上半年一些其他会议提到的，作为产业技术进展有很强的研究意义，故此收纳。
接下来，把这个图册的标题列一下。
前言
第一章 通信网络系统及应用
1 AI场景下光模块及电模块发展趋势
1.1 NVIDIA: AI从生成式向代理式发展
1.2 谷歌: 网络架构演进与IMDD光模块发展及新型相干折叠技术
1.3 华为昇腾384 AI超节点的光模块配比
1.4 一些高速光模块的市场规模
2用于AI场景的铜缆模块、高速PCB进展
2.1 NVIDIA: 基于200G/lane的铜缆互联技术
2.2 Intel/Altera: 1.6T DAC模块 PCBT艺对射频信号的影响
2.3 万德溱: 800GAEC中DSP工作温度(DC25论坛)
3 CPO光模块进展、案例及技术挑战
3.1 NVIDIA: 采用CPO方案的交换机路线图
3.2 台积电TSMC: CPO 硅光集成芯片的3D封装技术
3.3 台积电TSMC： 硅光CPO基于垂直耦合光栅的一个案例
3.4 台积电TSMC： 硅光CPO基于边缘耦合的一个案例
3.5 台积电TSMC: 电芯片与硅光芯片系统级封装的工艺流程
3.6 AMD: CPO引擎基于微环滤波的Rx热调锁波设计
3.7 Ranovus: 与联发科合作的CPO模块进展
3.8 Marvell : 基于硅光方案CPO模块进展
3.9 Marvell & AMF： 用于CPO的扇出式晶圆级封装工艺流程
3.10 Broadcom: 用于Al场景的CPO技术
3.11 丁达尔 & Intel等: 基于玻璃基板的CPO封装平台
3.12 康宁: 基于玻璃基板的CPO以及玻璃波导的可插拔MPO
3.13 康宁: 离子置换工艺的玻璃波导技术
3.14 古河: 用于CPO的小型化耐回流焊的磁吸扩束光连接器
3.15 Teramount: 硅光PIC与光纤FAU扩束自对准工艺
3.16 AyarLabs: MOLA可拆卸光接口
3.17 IBM: 用于CPO的可插拔MPO的树脂波导板
3.18 住友: CPO可耐200mW功率的VCBEL垂直耦合扩束透镜
3.19 USCONEC: 对用于AI场景MPO几种连接器端面结构的看法
3.20 光迅: 用于硅光引擎的可拆卸光接口技术（ECOC发表，进展技术源于专利部署）
4 LPO光模块进展
4.1 LPO 标准发展状态
4.2 思科: 对LPO的看法以及验证
4.3 海信: CEI-224G-Linear LPO用于31dB 损耗的仿真评估
4.4 Marvell: 基于硅光方案1.6T DR8 LPO框图
4.5 Intel: 用于CEI-224G-PAM4-Linear系统芯片封装建模
5 其他高速光模块技术进展
5.1 Orange: 50G PON ONU无DSP的模拟方案验证
5.2 诺基亚: 100G NRZ PON用于31dB预算的试验
5.3 华为: 50GPON发展现状及下一代200GPON验证
第二章 光学芯片、光学器件以及集成光学工艺发展
1高速VCSEL激光器及应用
1.1 Lumentum: 用于Scale-Up 基于VCSEL的多模CPO
1.2 Broadcom: VCSEL可支持Scale-Up的PCle光学互联
1.3 高意/Coherent: 用于Scale-Up的多模CPO技术探讨
1.4 Intel: 基于VCSEL4x108Gbps的CPO进展
1.5 古河: 基于VCSEL方案的CPO射频信号优化设计
1.6 东京科大: 单模200Gbps VCSEL进展
2 高速EML激光器进展
2.1 Lumentum:差分驱动226GbpsEML激光器芯片
2.2 源杰:212Gbps差分EML激光器结构
2.3 华为海思: 带宽110GHz的 540Gbps EML激光器芯片
2.4 三菱:106GHz的340Gbps EML通过玻璃基板提高带宽
2.5 联亚Landmark:180Gbps PAM4的行波EML
3 大功率CW-DFB、PCSEL激光器进展
3.1 大功率CW DFB激光器进展
3.1.1 博通: 用于CPO的300mW大功率CW激光器
3.1.2 住友: 400mW大功率CW 激光器进展
3.1.3 Intel: 再谈硅光集成激光器的可靠性FIT
3.2 新型面发射结构的CW PCSEL激光器进展
3.2.1 住友: 300+mW大功率双晶格PCSEL激光器
3.2.2 住友: 早期单晶格PCSEL激光器技术
3.3 新型量子点激光器及其他
3.3.1 Innolume: 大功率量子点激光器及量子点多波长激光器
3.3.2 中科院等: 硅基外延InAs量子点激光器
3.3.3 IMEC :硅基外延量子阱激光器进展
3.3.4 旭创: 关注并部署量子点激光器外延专利技术
3.3.5 IMEC: 采用uTP工艺的硅光混合集成可调谐激光器
3.3.6 AMF: 蓝光激光器与硅光FC组装
4 集成光学之高速调制器进展
4.1 硅光集成调制器技术
4.1.1 Intel: 1.6T OSFP 硅光模块
4.1.2 Jabil: 硅光模块的技术发展路线(简)
4.1.3 Intel: 支持200G/lane硅光平台向200/400nm工艺演进
4.1.4 Intel: 通过编程补偿微环调制器的生产制造偏差
4.1.5 AMF :硅光集成调制器带宽90GHz的电光均衡结构
4.1.6 鹏城实验室: 200GBd 纯硅调制器的“双驱动“设计
4.2 磷化铟InP集成调制器技术
4.2.1 NTT: 3.2T O波段InP集成MZ调制器
4.3 聚合物电光材料、铁电材料等电光调制器技术
4.3.1 KIT: 硅基聚合物200GBd 调制器
4.3.2 九州大学: PZT/PLZT电光调制器进展
4.4 薄膜铌酸锂TFLN集成调制器及薄膜工艺技术进展
4.4.1 HyperLight: 薄膜铌酸锂调制器芯片的封装
4.4.2 住友: 255GBd TFLN薄膜铌酸锂调制器
4.4.3 哈佛: 薄膜铌酸锂调制器的直流漂移现象分析
4.4.4 海思: 110GHz带宽TFLN+SiN/SOI/Ge混合集成平台（简）
4.4.5 重庆CUMEC: 硅基TFLN工艺平台进展（简）
4.4.6 清华: 110GHz带宽薄膜铌酸锂调制器
4.4.7 微系统所: 110GHz带宽TFLN与SiN的键合工艺
4.4.8 张江实验室: TFLN单模波导损耗0.1dB/cm的波导工艺
4.4.9 科普铌酸锂薄膜波导刻蚀工艺简要分类
5 硅光集成探测器进展
5.1 张江实验室/旭创等: 速率224Gbps带宽100GHz的锗硅探测器
5.2 GlobFoundries: 改善ORL的集成锗硅60GHz带宽PD
5.3 上交: 将低带宽锗硅探测器用于高速信号的拖尾截断算法
5.4 浙大/中移动/华为 ： 50G PON 锗硅APD的验证
5.5 ETHZ: 带宽150GHz硅基石墨烯集成探测器
6 硅基集成SiN等工艺
6.1 GlobFoundries/北邮/54所等: 耐高功率的SiN波导进展
6.2 TSMC: 硅基SiN氨化硅工艺优化
6.3 IMEC等: 硅光集成平台沉积SiN工艺进展
6.4 旭创: 用于硅光边缘耦合的SSC结构
第三章 其他技术的一些进展
1实芯光纤与空芯光纤进展
1.1 康宁: 双芯光纤部署容量与成本趋势探讨
1.2 住友: 基于多芯光纤的SDM发展现状及放大器需求
1.3 住友: 超低损耗实芯光纤进展
1.4 长飞: 超低损耗0.086dB/km的ST-HCF空芯光纤
2 DSP技术进展
2.1 Marvell： DSP色散补偿的光纤长度估计方法的低功耗优化
第四章 尾声
