Y12T170 今年OFC的总结放到7月18号，预计四小时

更新时间：2026-06-19 08:06:52 阅读量：84

例行工作，今年OFC的总结放到7月18号，上午9:30-11:30，下午14:30-16:30，预计四小时。

一些内容写过，这还有一个月时间，后续也会继续写。今年主要的内容包括这么几块，一些厂家对于AI人工智能组网的通信技术的观点、CPO、NPO现状等。

• Y12T84 成立OCI MSA与硅光CPO引擎

• Y12T111 康宁、旭创等公司成立SDM4 MCF MSA，推动多芯光纤应用

• Y12T92 Nvidia：再谈下一代AI的CPO技术

• Y12T155 Nvidia：用于AI的算力组网的OCS光交换系统

• Y12T131 英伟达投资的OCS厂nEys的硅基MEMS光开关技术

• Y12T91 Arista：下一代AI网络的光模块采用热插拔还是CPO？

• Y12T86 12.8T的热插拔XPO

• Y12T90 Ciena：TFLN的12.8T XPO 相干Lite光模块

• Y12T89 OIF启动CEI-448G标准化工作

• Y12T118 Marvell：对于AI Scale across的1.6T相干光学的观点与进展

• Y12T150 Marvell：CPO及超CPO的共封装工艺发展技术路线

• Y12T163 Oracle：AI组网的变迁与挑战

• Y12T85 阿里：用于AI组网400G光模块失效统计

• Y12T115 阿里：102.4T交换机800G LPO验证Y12T126 腾讯：AI驱动下数据中心光互联技术发展趋势Y12T162 百度：AI网络的发展趋势与挑战Y12T161 华为：NPO产业发展现状

• Y12T76 Celestial AI ：“光纤替代内存HBM”的xPU与内存解耦的案例

• Y12T167 Intel：用于Scale-up的OCI 硅光集成方案

• Y12T101 Acacia：高速硅光模块的大带宽封装工艺

• Y12T99 Ciena：6.4T CPX 光引擎Y12T169 Fraunhofer IZM关于CPO技术发展路线的观点Y12T164 正源：硅光模块/NPO/CPO等产品路线图以及可靠性数据

• Y12T116 正源：1.6T 硅光2FR4的波长复用结构

• Y12T104 Coherent：VCSEL CPO功耗进展

• Y12T127 博升：用于多模NPO的1.6T VCSEL阵列芯片

• Y12T158 ICON：用于多模CPO光纤耦合的打印波导

• Y12T154 博通：硅光CPO进展

• Y12T60 博通 200G VCSEL进展，NPO进展

• Y12T144  博通VCSEL 200Gbps 50m传输的KPRI塑料光纤

• Y12T114 稳懋：用于通信和传感的VCSEL批量制造

• Y12T113 索尼：200Gbps VCSEL激光器

• Y12T122 单模横向耦合腔200Gbps VCSEL的带宽达到50GHz

• Y12T151 康宁：玻璃光电基板与硅光芯片支持CPO的Flip chip 工艺验证

• Y12T74 Lightmatter 硅光引擎的封装测试流程

• Y12T112 Molex收购Teramount的EBO光学进入CPO市场

• Y12T133 Arista/Meta：用于448Gbps的CPC/CPO的射频信号评估

• Y12T132 TE：用于448Gbps的NPO Socket插座信号与受力分析

• Y12T142 锐捷/生益：用于NPO的系统PCB 224Gbps-448Gbps的工艺能力研究

• Y12T143 安费诺：可插拔铜缆到NPC近封装铜缆、CPC共封装铜缆

• Y12T93 Nvidia：200+Gbps微环调制器的结电容与调制效率

• ......

还有就是工艺平台的进展，各种硅光芯片、EML芯片等技术发展趋势

• Y12T83 台积电：硅光平台的双层垂直耦合光栅Y12T71 TSMC 硅光工艺平台技术路线的选择与对比

• Y12T87 Nvidia：降低微环刻蚀工艺误差产生的波长敏感性

• Y12T78 三星硅光工艺平台

• Y12T97 略解释一下ST的200G速率的硅光流片平台的“增厚”大带宽工艺

• Y12T108 GF：硅光 200Gbps MZM调制器带宽60GHz设计

• Y12T88 Coherent高意：400Gbps/lane 纯硅MZM调制器验证

• Y12T98 UCdavis：硅光芯片3D封装焊点寄生电容对灵敏度的影响

• Y12T94 博通：400G 差分EML进展

• Y12T95 Lumentum 4λ x 200G 差分EML进展

• Y12T80 HHI 高速EML芯片进展

• Y12T81 住友：高速EML的伪差分与串联双吸收的差分结构区别

• Y12T125 三菱：带宽100GHz的差分EML，以及我的一点看法

• Y12T105 HyperLight的TFLN薄膜铌酸锂通过开槽提高可靠性

• Y12T106  新易盛：1.6T 4x400G TFLN薄膜铌酸锂方案

• Y12T129 住友：基于电光均衡处理的400Gbps      PAM4的薄膜铌酸锂调制器

• Y12T109 A Star ：8吋晶圆TFLN 带宽110GHz高速调制器

• Y12T123 Ciena/Lumiphase 硅基钛酸钡BTO 1.6T DR4调制器技术进展

• Y12T130 正源：用于3.2T 光引擎的400Gbps/lane的TFLN初步验证

• Y12T134 诺基亚双差分TFLN薄膜铌酸锂驱动设计

• Y12T120 住友：500mW/800mW大功率PCSEL进展

• Y12T165 Lumentum大功率CW激光器进展至800mW

• ......

 

总之，7月18号把OFC期间提到的一些厂家观点、技术进展以及对比技术，做一个汇总。