Y12T294 实芯与空芯光纤

权限：0 时间：2026-10-21

专栏：Y12-2026年度

Y12T293 村田：用于CPO的LTCC陶瓷基板的过孔可靠性控制

权限：2026 时间：2026-10-20

专栏：Y12-2026年度

Y12T292 什么是III V芯片、III V材料，以及光模块中的III V芯片

权限：2026 时间：2026-10-21

专栏：Y12-2026年度

Y12T291 Leti：硅基InP外延量子阱的EML-SOA集成芯片

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Y12T290 住友：差分EML的SoCoC准Flip chip封装，带宽110+GHz

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Y12T289 光芯片中常用的P型N型半导体“掺杂”

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专栏：Y12-2026年度

Y12T288 三菱：差分EML基于玻璃中介板的Flip chip封装

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专栏：Y12-2026年度

Y12T287 铌酸锂、薄膜铌酸锂、薄膜铌酸锂调制器

权限：0 时间：2026-10-14

专栏：Y12-2026年度

Y12T286 三菱：差分EML的陶瓷封装基板的直流端接与交流端接对比

权限：2026 时间：2026-10-13

专栏：Y12-2026年度

Y12T284 微软：400GZR 空芯光纤传输427.97公里

权限：2026 时间：2026-10-11

专栏：Y12-2026年度