博通今年OFC有个现场演示，200G 非制冷 EML，α样品，这个布局和112G EML COC大致相同，略有区别。
咱们尝试恢复一下这个结构，陶瓷基板的布局如下，红色是沉积的薄膜电阻。 调制器信号输入端依然采用GSG布局，但没有像112G的GND做表面互联，不出意外的话在基板底部应该还有一层GND平面参考层，做信号回流设计。
EML芯片，背光探测器（博通在50G、100G，包括现在的200G，做了兼容设计，背光MPD可以替换成电源滤波的旁路电容，打线时略做改动即可。），还有RC端接匹配，用于吸收调制信号的尾部能量，避免信号反射引起的噪声。
调制器的打线，从以前的连续弧打双线，这次打了三根线，用于提高带宽。其中两根线用于调制信号的输入，另一根线连接端接阻容匹配端。
键合金丝的说明，以前写过一些
合集2020第373-379
合集2021上第283页
今年也整理了Lumentum 200G EML芯片键合金丝对带宽的影响。通过对前端金丝的处理，整体带宽大于60GHz，与今年OFC的博通的demo带宽一样。
博通的200GCOC，配置参数如下
DFB的偏置，常温100mA，高温120mA
调制器的反偏电压常温2.8V，高温1.8V, 调制摆幅1.1V，高温消光比4.5dB左右。
3dB带宽大于60GHz
调制后的输出功率，常温4.5dBm，高温3.0dBm
做个记录
