硅光微环调制器、AI场景的高速光模块与光芯片

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Y11T173 谷歌网络架构演进与光模块发展

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Y11T172 源杰212Gbps 差分EML结构

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Y11T171 芯片封装结构之TO与BOX

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上传时间：2025-06-20 08:06:35

Y11T170 鹏城实验室200GBd 纯硅调制器的“双驱动”设计

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Y11T169 芯片封装之WB与FC工艺之争

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Y11T168 改善ORL的集成锗硅60GHz带宽PD，GlobalFoundries

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Y11T167 通信波段的O波段与C波段之争

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Y11T166 硅光PIC与光纤FAU扩束自对准工艺-Teramount

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Y11T165 USCONEC对用于AI场景MPO几种连接器端面结构的看法

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Y11T164 硅光芯片制作工艺流程

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Y11T163 Landmark 180Gbps PAM4的行波EML

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Y11T162 空芯光纤与实芯光纤的区别

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Y11T161 海信：CEI-224G-Linear LPO用于31dB 损耗的仿真

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Y11T160 在哪个范围内作单模通信与多模通信的对比

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Y11T159 诺基亚100G NRZ PON用于31dB预算的试验

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Y11T158 Orange 50G PON ONU无DSP的模拟方案验证

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Y11T157 光纤怎么区分单模多模

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Y11T156 华为下一代2x100G IM-DD PON验证

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Y11T155 光模块厂全球Top10变迁

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Y11T154 LPO与CPO光模块的区别

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Y11T153 PON网络发展趋势以及核心光器件光芯片

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 Y11T152 Marvell 基于硅光方案1.6T DR8 LPO

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Y11T151 台积电TSMC的硅光COUPE组装的垂直耦合结构

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Y11T150 锐捷：LPO当前状态与趋势

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Y11T149 思科对LPO的看法以及验证

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Y11T148 微系统所110GHz带宽TFLN与SiN的键合工艺

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Y11T147 住友对于多芯光纤与SDM的观点

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Y11T146 LPO MSA成立并更新电连接损耗规范

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Y11T145 AMD 基于微环结构的热调锁波

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Y11T144 NTT 3.2T O波段InP集成MZ调制器

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Y11T143 中电信/中兴 用于C+L波段的400G相干模块试验

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Y11T142 Marvell DSP色散补偿的光纤长度估计方法

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Y11T141 清华110GHz带宽薄膜铌酸锂调制器

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Y11T140 信通院：算力及光模块标准进展

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5月24日 相干通信/模块/器件/芯片

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Y11T138 KIT：硅基聚合物200GBd 调制器

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Y11T137 海思发布110GHz带宽TFLN+SiN/SOI/Ge混合集成平台

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Y11T136 重庆CUMEC的硅光平台进展

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Y11T135 华为AI CM384超节点光模块配比1:18

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Y11T134 华工、AOI、CIG、天孚、联特、德科立等厂2024业绩

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Y11T133 ETHZ 带宽150GHz石墨烯探测器

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2025年5月17日 《人工智能AI大算力与高速光模块技术与产业趋势》

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Y11T131 Innolume 大功率量子点激光器

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Y11T130 康宁对SDM的观点

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Y11T129 住友255GBd TFLN薄膜铌酸锂调制器

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Y11T128 PZT/PLZT电光调制器进展

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Y11T93 旭创用于硅光边缘耦合的SSC结构

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Y11T127 源杰2024年业绩

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Y11T126 住友400mW大功率CW 激光器进展

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Y11T125 TSMC的硅基SiN氮化硅工艺优化

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Y11T124 采用μTP工艺的硅光混合集成可调谐激光器

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Y11T23 欧洲丁达尔等基于玻璃基板的CPO封装平台

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Y11T122 光迅2024年业绩

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Y11T121 HyperLight的薄膜铌酸锂调制器芯片的封装

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Y11T120 华为海思 540Gbps EML，带宽110GHz

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Y11T119 Arista关于400G/λ未来发展的一些观点

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5月6月份《光模块光器件光芯片技术》第二期安排

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Y11T117 三菱106GHz的340Gbps EML通过玻璃基板提高带宽

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Y11T116 AMF 蓝光激光器与硅光FC组装

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Y11T115 新易盛2024年业绩

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Y11T114 中科院硅基外延InAs量子点激光器

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Y11T113 旭创2024年业绩

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Y11T112 住友300+mW大功率 PCSEL激光器

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Y11T111 诺基亚长飞的ST-HCF空芯光纤损耗<0.1dB/km

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Y11T110 AyarLabs的MOLA光接口

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Y11T109 IBM 用于CPO的可插拔MPO的树脂波导板

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Y11T108 康宁基于玻璃基板的CPO以及玻璃波导的可插拔MPO

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Y11T107 旭创合作：带宽100GHz锗硅探测器

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Y11T106 Lumentum 差分驱动226Gbps EML

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Y11T69 Intel 1.6T OSFP 硅光模块

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Y11T5 海信50GPON OLT三代共存光器件

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Y11T105 博通：用于CPO的300mW大功率CW激光器

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《硅光集成行业报告-2025》版

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Y11T103 Broadcom: 用于Scale-Up的光学互联技术

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Y11T102 Lumentum：用于Scale-Up 多模CPO的VCSEL

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Y11T101 Coherent：用于Scale-Up的多模CPO技术探讨

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Y11T100 古河：多模CPO的高速信号优化

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Y11T99 旭创4月6号的投资者电话会议

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Y11T98 Intel支持200G/lane的从300nm硅光平台向200/400nm工艺演进

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Y11T97 NVIDIA基于200G/lane的铜缆互联

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Y11T96 台积电OFC2025关于CPO的硅光封装演讲

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Y11T95 Intel通过编程补偿微环调制器的生产制造偏差

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Y11T94 IMEC 硅基外延量子阱激光器进展

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6月21日第5-8个热点对比：多模与单模、WB与FC、O与C波段、TO与BOX

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Y11T91 住友：CPO可耐200mW功率的VCBEL垂直耦合扩束透镜

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Y11T89 Marvell 2024年业绩（2025财务年）

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Y11T88 非扩散工艺降低APD付费暗电流的结构

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Y11T86 NVIDIA在GTC2025提到AI从生成式走向代理式

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Y11T85 工信部2024年统计数据更新，425万5G基站，11.6亿 FTTx端口

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Y11T84 38所：用于TFLN的偏振无关透镜组

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3月29日热点技术之：CPO与LPO；硅光与薄膜铌酸锂；铜缆模块与光模块；IM-DD与相干

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Y11T82 AyarLabs与康宁合作的玻璃波导基板

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Y11T81 NVIDIA 采用CPO方案的交换机路线图

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Y11T79 Intel硅光芯片环氧胶避免光学接口污染的围栏工艺

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Y11T78 中兴PCB过孔偏移技术实现224Gbps信号传输

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Y11T77 索尔思降低反射低RIN的EML端面开窗设计

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3月22日 ‘PON网络的光模块、光器件、光芯片技术’

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Y11T75 索尔思用于8波长复用的Rx光路结构

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Y11T74 光模块探测器电路模型以及TIA电路

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Y11T73 SPIE 全球光学从业人员薪资报告

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Y11T72 光模块EML及微环调制器的驱动电路

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《超大带宽相干光模块发展趋势、核心光器件》

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Y11T70 Intel 基于VCSEL 4x108Gbps的CPO进展

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Y11T68 光模块直接调制激光器的驱动电路

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Y11T67 住友硅光波导SSC前端面8μm宽度设计，增强生产冗余性

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Y11T65 Lumentum利用掩膜开窗结构降低CW DFB的工作温度

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Y11T64 光模块测试点TP1与TP1a的区别

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Y11T63 PCB 224G PAM4 差分双弯布线，降低奇模偶模的转换

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Y11T62 Altera对1.6T DAC模块 PCB工艺对射频信号的影响

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Y11T61 万德溙：800G AEC中DSP工作温度

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Y11T60 AOI OSFP 双MPO的一个结构案例

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Y11T59 高速光模块PCB工艺引起的射频谐振干扰

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Y10T58 烽火：1.6T 光模块所需的PCB板材及工艺

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Y11T57 立讯：DAC差分电缆工艺与Skew的影响

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Y11T56 谷歌/Intel：PCB差分线同节距设计降低玻纤效应对112Gbps PAM4信号的skew影响

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2025-3-1 《AI浪潮与大算力驱动的以太网光模块趋势》

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Y11T54 字节跳动 224Gpbs C2M 射频信号研究

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Y11T53 用于CEI-224G-PAM4-Linear系统芯片封装建模

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Y11T52 哈佛：薄膜铌酸锂调制器的直流漂移现象分析

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Y11T51 住友BOX盖板结构与底板翘曲控制

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Y11T50 Ranovus与联发科的CPO模块

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Y11T49 光纤或玻璃基板的疏水保护镀层

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Y11T48 光纤连接器插芯之：陶瓷、玻璃、塑料...

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Y11T47 源杰用于EML-SOA的TO封装

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Y11T46 防翘曲的导热片/均热片结构

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Y11T45 用于CPO的ELSFP模块气隙MT插芯的镀膜处理

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Y11T44 住友相干模块光器件内部结构图

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2025年2-3月菲魅通信技术与市场的一系列相关议题

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Y11T42 热压焊TCB

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行业报告《高速CPO市场趋势、案例与挑战》

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Y11T40 联特Rx组装工艺避免PD端面反射及降低TIA光串扰

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Y11T39 住友：射频软线的skew控制

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Y11T38 住友用于128GBd TROSA的封盖工艺与翘曲控制

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Y11T37 住友128GBd ICR集成探测器

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Y11T36 【通信基础】啁啾、展宽因子、色散代价

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Y11T35 【通信基础】磷化铟InP集成

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