Y11T305 旭创：用于Scale up的快而窄的硅光集成技术

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Y11T304 海思多波长量子点激光器进展及与其他厂家性能对比

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Y11T303 Scintil：适用慢而宽方案的多波长激光器

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Y11T302 通信的“窄而快”与“慢而宽”

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Y11T301 Avicena用于AI光学组网的μLED 方案进展

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Y11T300 Intel那个奇怪的8调制器与4探测器的结构

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Y11T299 TSMC ：微环调制器的带宽

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Y11T298 海思：硅光8λ x 224Gbps 微环调制器首次验证

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Y11T297 DFB、EML、VCSEL、PD芯片封装

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Y11T296 腾讯用于Scale up的NPO开发计划表

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Y11T295 为何调制器的低速信号可选择玻璃密封

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Y11T294 诺基亚硅基TFLN悬空波导工艺及铌酸锂光模块的市场数字

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Y11T293 光模块之LPO线性直驱光模块

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Y11T292 华为海思：100GHz带宽 C+L波段锗硅探测器

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Y11T291 Nubis CPO技术发展与可靠性讨论

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Y11T290 回复几个OCS、CPO、NPO相关留言

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Y11T289 华为海思：540Gbps 硅基集成TFLN调制器可靠性验证

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Y11T288 英伟达提到的CPO实际上是两套不同的方案，注意下二者的区别

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Y11T287 Meta：博通CPO 运行1500万器件小时可靠性数据统计

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Y11T286 对比旭创/IMEC 带宽100GHz硅光集成探测器结构

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Y11T285 博升单模100Gbps VCSEL

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Y11T284 元芯窄线宽可调谐激光器进展

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Y11T283 高速光芯片封装基板及光路耦合

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Y11T282 POET 混合集成1.6T 2FR4 芯片

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Y11T281 盲孔、埋孔、通孔、硅通孔、穿塑通孔、玻璃通孔

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Y11T280 住友可调谐窄线宽激光器从分立向集成发展

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Y11T279 陶瓷基板与玻璃基板

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Y11T278 Nvidia：用于CPO的外置光源ELS放弃保偏光纤采用普通光纤耦合

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Y11T277 昱升：TO内置准直透镜的案例

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Y11T276 超大带宽与超宽带的区别

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Y11T275 三菱110GHz带宽的EML封装工艺从WB到FC变迁之路

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Y11T274 光开关OCS与WSS的区别

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Y11T273 阿里&Coherent：单模VCSEL与多模光纤400G模块传输500m

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Y11T272 回复一个留言，关于激光器纵模、单模、平均光功率

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Y11T271 博通：3.2T 基于VCSEL的NPO

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Y11T270 快手、腾讯等公司提到的“反向转换”800G光模块

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Y11T269 光博会匆匆一览之：CPO、NPO

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Y11T268 NVIDIA 硅光芯片内置嵌入式激光器的一个技术解读

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Y11T267 海思：基于硅光芯片的7.2T高密光引擎

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Y11T266 Nvidia 下一代AI系统的光学接口采用CPO与OCS的优势

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Y11T265 关于 PON、硅光、EML、VCSEL、CW等芯片的工艺及封装

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Y11T264 Nvidia 在AI组网使用PCIe 6.0，及Marvell、旭创、博通等等关于PCIe 技术趋势及看法

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Y11T263 阿里：AI组网多模通信的优劣势及观点

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Y11T262 激光器端面的“畸形”“斜坡”结构是做什么的

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Y11T261 Cignal AI：几个光模块市场数字

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Y11T259 海思：高速VCSEL用于AI场景光模块或NPO

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Y11T258 磷化铟InP集成光学

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Y11T257 信通院：硅光方案为CPO当前主流

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Y11T256 Lumentum 采用PN替代传统PIN结构的探测器PD，可提高带宽

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Y11T255 剑桥科技CIG 2025年上半年业绩，收入20.35亿

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Y11T254 Coherent 的高速EML

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Y11T253 深圳光博会CIOE关注的一些议题

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Y11T252 字节：硅光方案用于高速LPO模块的观点

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Y11T251 华工科技上半年收入76亿，其中光电器件收入37.8亿

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Y11T250 四代共存PON的非线性效应，及XGSPON用户掉线风险

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Y11T249 蓝光：支持多模带MPD的PEI透镜

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Y11T248 光迅2025年上半年业绩，营收52.42亿

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Y11T247 储翰：用于PON的塑胶BOSA结构，以及闲聊几句

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Y11T246 新易盛2025上半年业绩，营收104.37亿元

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Y11T245 讯芸：玻璃基板CPO基于垂直耦合的FAU结构

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Y11T244 PON光模块技术发展趋势

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Y11T243 正源：OSFP顶置拉手用于背靠背安装

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Y11T242 几个光模块市场数字

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Y11T241 旭创2025上半年业绩，营收147.89亿

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Y11T240 硅光模块的合分波方案

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Y11T239 区别一下FinFET、NSFET、CFET

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Y11T238 诺基亚：窄线宽激光器波长锁定的集成波导高精度频率检测结构

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Y11T237 用于相干光模块的核心光器件

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Y11T236 硅光集成芯片的垂直耦合光栅的角度敏感性与波长敏感性

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Y11T235 旭创：可用于浸泡式液冷交换机的TO尾纤处理

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Y11T234 TDECQ与TECQ的区别

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Y11T233 康宁与VIS： 200Gbps 单模多孔VCSEL通过啁啾管控可传输100m

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Y11T232 光模块的技术参数详细讲解

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Y11T231 天孚：光纤带与透镜阵列组装的一个扩束FAU案例

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Y11T230 硅光模块与传统模块的对比

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Y11T229 微软μLED光模块内的TIR透镜及成像光纤

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Y11T228 为何硅光调制器很少选择电吸收调制器，而是选择MZM或微环

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Y11T227 一个光模块有几个激光器

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Y11T226 藤仓：用于CPO基于透镜耦合的可插拔FAU光接口案例

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Y11T225 硅光技术在CPO中的应用

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Y11T224 住友：OSFP 相干模块内部布局案例

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Y11T223 MZM马赫曾德电光调制器原理

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Y11T222 Intel CPO超薄可插拔光接口案例

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Y11T221 光迅：带EDFA的QSFP-DD相干模块内部布局案例

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Y11T220 光模块里电芯片的几类封装形态

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Y11T219 博通CPO可插拔FAU的上下盖结构

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Y11T218 直接调制DFB激光器的啁啾测试案例

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Y11T217 讯芸：硅光CPO引擎可插拔光接口

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Y11T216 啁啾、展宽因子与色散代价

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Y11T215 上诠FOCI：硅光芯片垂直耦合的FAU另两个案例

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Y11T214 上诠：用于硅光芯片封装的FAU案例

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Y11T213 富士通那个“S”型SSC边缘耦合设计的结构

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Y11T212 博创：无热AWG芯片的机械补偿结构

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Y11T211 超大带宽高速相干光模块发展趋势

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Y11T210 华为 212G VCSEL传输验证

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《OFC2025 光模块/光芯片技术进展》之PPT汇编

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Y11T208 正源：4x200G EML 芯片的差分驱动封装结构

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Y11T207 光迅用于硅光引擎的可拆卸光接口

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Y11T206 50GPON产业规模预期以及下一代PON的主要技术路径

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Y11T205 新易盛1.6T 双MPO适配器的夹持结构

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Y11T204 区分光学微环、微环调制器、硅光集成微环调制器

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Y11T203 住友超低损耗实芯光纤进展

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Y11T202 OFC2025 光模块/光芯片技术进展

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Y11T201 云晖多模光模块的散热结构

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Y11T200 索尔思DFB激光器的一个电极工艺

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Y11T199 VCSEL工艺流程

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Y11T198 高速400G/800G光模块金手指处的EMI电磁辐射抑制

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Y11T197 区分CPO、OIO、Chiplet、2D/3D

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Y11T179 张江实验室TFLN单模波导损耗0.1dB/cm的波导工艺

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Y11T196 高意：基于CW VCSEL的垂直顶部高速调制器设计

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Y11T195 用于AI光模块的核心光芯片VCSEL、EML、CW及硅光集成芯片

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Y11T194 旭创多模光模块的塑胶透镜组装

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Y11T193 古河：用于CPO的小型化耐回流焊的磁吸扩束光连接器

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Y11T192 硅光集成技术在AI中的作用或优势

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Y11T191 单模200Gbps VCSEL进展

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Y11T190 硅光芯片与大功率CW激光不能用“硅”波导边缘耦合，而是采用SiN氮化硅才行

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Y11T189 AMF 硅光集成调制器带宽90GHz的电光均衡结构

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Y11T188 AI浪潮与大算力驱动的800G/1.6T等高速光模块市场发展趋

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Y11T187 海信：高速多模光模块的VCSEL散热设计

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Y11T186 光波导的加工工艺流程

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Y11T185 硅光集成平台氮化硅SiN工艺进展

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Y11T184 Innolume 多波长量子点激光器进展

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Y11T183 CPO能替代光模块吗？

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Y11T182 Intel再谈硅光集成激光器的可靠性FIT

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Y11T181 CPO与光模块的关系

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Y11T180 上交：将低带宽锗硅探测器用于高速信号的拖尾截断算法

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Y11T178 OFC2025的高速CPO/硅光/EML/TFLN/FAU/3D封装...

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Y11T177 浙大/中移动/华为 50G PON 锗硅APD的验证数据

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Y11T176 光通信的未来趋势

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Y11T175 谷歌下下一代相干模块提出偏振折叠PoFo技术

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硅光微环调制器、AI场景的高速光模块与光芯片

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Y11T173 谷歌网络架构演进与光模块发展

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Y11T172 源杰212Gbps 差分EML结构

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Y11T171 芯片封装结构之TO与BOX

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Y11T170 鹏城实验室200GBd 纯硅调制器的“双驱动”设计

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Y11T169 芯片封装之WB与FC工艺之争

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Y11T168 改善ORL的集成锗硅60GHz带宽PD，GlobalFoundries

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Y11T167 通信波段的O波段与C波段之争

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Y11T166 硅光PIC与光纤FAU扩束自对准工艺-Teramount

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Y11T165 USCONEC对用于AI场景MPO几种连接器端面结构的看法

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Y11T164 硅光芯片制作工艺流程

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Y11T163 Landmark 180Gbps PAM4的行波EML

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Y11T162 空芯光纤与实芯光纤的区别

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Y11T161 海信：CEI-224G-Linear LPO用于31dB 损耗的仿真

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Y11T160 在哪个范围内作单模通信与多模通信的对比

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Y11T159 诺基亚100G NRZ PON用于31dB预算的试验

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Y11T158 Orange 50G PON ONU无DSP的模拟方案验证

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Y11T157 光纤怎么区分单模多模

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Y11T156 华为下一代2x100G IM-DD PON验证

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Y11T155 光模块厂全球Top10变迁

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Y11T154 LPO与CPO光模块的区别

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Y11T153 PON网络发展趋势以及核心光器件光芯片

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 Y11T152 Marvell 基于硅光方案1.6T DR8 LPO

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Y11T151 台积电TSMC的硅光COUPE组装的垂直耦合结构

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Y11T150 锐捷：LPO当前状态与趋势

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Y11T149 思科对LPO的看法以及验证

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Y11T148 微系统所110GHz带宽TFLN与SiN的键合工艺

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Y11T147 住友对于多芯光纤与SDM的观点

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Y11T146 LPO MSA成立并更新电连接损耗规范

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Y11T145 AMD 基于微环结构的热调锁波

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Y11T144 NTT 3.2T O波段InP集成MZ调制器

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Y11T143 中电信/中兴 用于C+L波段的400G相干模块试验

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Y11T142 Marvell DSP色散补偿的光纤长度估计方法

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Y11T141 清华110GHz带宽薄膜铌酸锂调制器

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Y11T140 信通院：算力及光模块标准进展

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5月24日 相干通信/模块/器件/芯片

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Y11T138 KIT：硅基聚合物200GBd 调制器

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Y11T137 海思发布110GHz带宽TFLN+SiN/SOI/Ge混合集成平台

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Y11T136 重庆CUMEC的硅光平台进展

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Y11T135 华为AI CM384超节点光模块配比1:18

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Y11T134 华工、AOI、CIG、天孚、联特、德科立等厂2024业绩

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Y11T133 ETHZ 带宽150GHz石墨烯探测器

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2025年5月17日 《人工智能AI大算力与高速光模块技术与产业趋势》

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Y11T131 Innolume 大功率量子点激光器

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Y11T130 康宁对SDM的观点

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Y11T129 住友255GBd TFLN薄膜铌酸锂调制器

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Y11T128 PZT/PLZT电光调制器进展

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Y11T93 旭创用于硅光边缘耦合的SSC结构

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Y11T127 源杰2024年业绩

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Y11T126 住友400mW大功率CW 激光器进展

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Y11T125 TSMC的硅基SiN氮化硅工艺优化

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Y11T124 采用μTP工艺的硅光混合集成可调谐激光器

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Y11T23 欧洲丁达尔等基于玻璃基板的CPO封装平台

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Y11T122 光迅2024年业绩

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Y11T121 HyperLight的薄膜铌酸锂调制器芯片的封装

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Y11T120 华为海思 540Gbps EML，带宽110GHz

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Y11T119 Arista关于400G/λ未来发展的一些观点

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5月6月份《光模块光器件光芯片技术》第二期安排

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Y11T117 三菱106GHz的340Gbps EML通过玻璃基板提高带宽

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Y11T116 AMF 蓝光激光器与硅光FC组装

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Y11T115 新易盛2024年业绩

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Y11T114 中科院硅基外延InAs量子点激光器

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Y11T113 旭创2024年业绩

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Y11T112 住友300+mW大功率 PCSEL激光器

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Y11T111 诺基亚长飞的ST-HCF空芯光纤损耗<0.1dB/km

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Y11T110 AyarLabs的MOLA光接口

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Y11T109 IBM 用于CPO的可插拔MPO的树脂波导板

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Y11T108 康宁基于玻璃基板的CPO以及玻璃波导的可插拔MPO

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Y11T107 旭创合作：带宽100GHz锗硅探测器

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Y11T106 Lumentum 差分驱动226Gbps EML

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Y11T69 Intel 1.6T OSFP 硅光模块

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Y11T5 海信50GPON OLT三代共存光器件

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Y11T105 博通：用于CPO的300mW大功率CW激光器

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《硅光集成行业报告-2025》版

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Y11T103 Broadcom: 用于Scale-Up的光学互联技术

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Y11T102 Lumentum：用于Scale-Up 多模CPO的VCSEL

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Y11T101 Coherent：用于Scale-Up的多模CPO技术探讨

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Y11T100 古河：多模CPO的高速信号优化

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Y11T99 旭创4月6号的投资者电话会议

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Y11T98 Intel支持200G/lane的从300nm硅光平台向200/400nm工艺演进

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Y11T97 NVIDIA基于200G/lane的铜缆互联

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Y11T96 台积电OFC2025关于CPO的硅光封装演讲

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Y11T95 Intel通过编程补偿微环调制器的生产制造偏差

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Y11T94 IMEC 硅基外延量子阱激光器进展

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6月21日第5-8个热点对比：多模与单模、WB与FC、O与C波段、TO与BOX

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Y11T91 住友：CPO可耐200mW功率的VCBEL垂直耦合扩束透镜

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Y11T89 Marvell 2024年业绩（2025财务年）

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Y11T88 非扩散工艺降低APD付费暗电流的结构

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Y11T86 NVIDIA在GTC2025提到AI从生成式走向代理式

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Y11T85 工信部2024年统计数据更新，425万5G基站，11.6亿 FTTx端口

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Y11T84 38所：用于TFLN的偏振无关透镜组

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3月29日热点技术之：CPO与LPO；硅光与薄膜铌酸锂；铜缆模块与光模块；IM-DD与相干

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Y11T82 AyarLabs与康宁合作的玻璃波导基板

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Y11T81 NVIDIA 采用CPO方案的交换机路线图

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Y11T79 Intel硅光芯片环氧胶避免光学接口污染的围栏工艺

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Y11T78 中兴PCB过孔偏移技术实现224Gbps信号传输

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Y11T77 索尔思降低反射低RIN的EML端面开窗设计

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3月22日 ‘PON网络的光模块、光器件、光芯片技术’

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Y11T75 索尔思用于8波长复用的Rx光路结构

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Y11T74 光模块探测器电路模型以及TIA电路

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Y11T73 SPIE 全球光学从业人员薪资报告

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Y11T72 光模块EML及微环调制器的驱动电路

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《超大带宽相干光模块发展趋势、核心光器件》

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Y11T70 Intel 基于VCSEL 4x108Gbps的CPO进展

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Y11T68 光模块直接调制激光器的驱动电路

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Y11T67 住友硅光波导SSC前端面8μm宽度设计，增强生产冗余性

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Y11T65 Lumentum利用掩膜开窗结构降低CW DFB的工作温度

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Y11T64 光模块测试点TP1与TP1a的区别

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Y11T63 PCB 224G PAM4 差分双弯布线，降低奇模偶模的转换

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Y11T62 Altera对1.6T DAC模块 PCB工艺对射频信号的影响

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Y11T61 万德溙：800G AEC中DSP工作温度

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Y11T60 AOI OSFP 双MPO的一个结构案例

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Y11T59 高速光模块PCB工艺引起的射频谐振干扰

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Y10T58 烽火：1.6T 光模块所需的PCB板材及工艺

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Y11T57 立讯：DAC差分电缆工艺与Skew的影响

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Y11T56 谷歌/Intel：PCB差分线同节距设计降低玻纤效应对112Gbps PAM4信号的skew影响

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2025-3-1 《AI浪潮与大算力驱动的以太网光模块趋势》

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Y11T54 字节跳动 224Gpbs C2M 射频信号研究

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Y11T53 用于CEI-224G-PAM4-Linear系统芯片封装建模

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Y11T52 哈佛：薄膜铌酸锂调制器的直流漂移现象分析

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Y11T51 住友BOX盖板结构与底板翘曲控制

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Y11T50 Ranovus与联发科的CPO模块

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Y11T49 光纤或玻璃基板的疏水保护镀层

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Y11T48 光纤连接器插芯之：陶瓷、玻璃、塑料...

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Y11T47 源杰用于EML-SOA的TO封装

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Y11T46 防翘曲的导热片/均热片结构

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Y11T45 用于CPO的ELSFP模块气隙MT插芯的镀膜处理

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Y11T44 住友相干模块光器件内部结构图

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2025年2-3月菲魅通信技术与市场的一系列相关议题

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Y11T42 热压焊TCB

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行业报告《高速CPO市场趋势、案例与挑战》

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Y11T40 联特Rx组装工艺避免PD端面反射及降低TIA光串扰

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Y11T39 住友：射频软线的skew控制

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Y11T38 住友用于128GBd TROSA的封盖工艺与翘曲控制

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Y11T37 住友128GBd ICR集成探测器

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Y11T36 【通信基础】啁啾、展宽因子、色散代价

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Y11T35 【通信基础】磷化铟InP集成

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Y11T34【通信基础】CPO、共封装

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